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1. (WO2016195946) MASQUE DUR DE TRAÇAGE DE MOTIFS DE JONCTIONS À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/195946 N° de la demande internationale : PCT/US2016/031941
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 11.05.2016
CIB :
H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
XUE, Lin; US
PAKALA, Mahendra; US
CHEN, Hao; US
AHN, Jaesoo; US
Mandataire :
PATTERSON, B. Todd; US
Données relatives à la priorité :
14/755,96430.06.2015US
62/168,75630.05.2015US
Titre (EN) HARD MASK FOR PATTERNING MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS
(FR) MASQUE DUR DE TRAÇAGE DE MOTIFS DE JONCTIONS À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE
Abrégé :
(EN) Device structures and methods for fabricating device structures are provided herein. Magnetic random access memory (MRAM) devices described herein may include a film stack comprising a magnetic tunneling junction layer, a dielectric capping layer, an etch stop layer, a conductive hard mask layer, a dielectric hard mask layer, a spin on carbon layer, and an anti-reflective coating layer. The film stack may be etched by one or more selected chemistries to achieve improved film stack sidewall verticality. Memory cells having increasingly uniform and reduced critical dimensions may be fabricated utilizing the methods and devices described herein.
(FR) La présente invention concerne des structures de dispositifs et des procédés de fabrication de structures de dispositifs. Des dispositifs de mémoire vive magnétique (MRAM) selon la présente invention peuvent inclure un empilement de pellicules comprenant une jonction à effet tunnel magnétique, une couche de couverture diélectrique, une couche d'arrêt de gravure, une couche de masque dur conductrice, une couche de masque dur diélectrique, une couche de carbone centrifugé, et une couche de revêtement antireflet. L'empilement de pellicules peut être gravé par un ou plusieurs produits chimiques pour obtenir une verticalité améliorée de parois latérales d'empilement de pellicules. Des cellules de mémoire dont les dimensions critiques sont de plus en plus uniformes et réduites peuvent être fabriquées au moyen des procédés et dispositifs selon la présente invention.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)