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1. (WO2016195845) FONCTIONNEMENT À BASSE PUISSANCE POUR SYSTÈME DE MÉMOIRE FLASH

Pub. No.:    WO/2016/195845    International Application No.:    PCT/US2016/029390
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed Apr 27 01:59:59 CEST 2016
IPC: G11C 5/14
G11C 7/10
G11C 7/22
G11C 8/10
G11C 8/12
G11C 16/08
G11C 16/30
G11C 16/32
G11C 29/14
Applicants: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
Inventors: TRAN, Hieu Van
LY, Anh
VU, Thuan
NGUYEN, Hung Quoc
NGUYEN, Viet Tan
Title: FONCTIONNEMENT À BASSE PUISSANCE POUR SYSTÈME DE MÉMOIRE FLASH
Abstract:
La présente invention concerne un circuit et un procédé pour un fonctionnement à basse puissance dans un système de mémoire flash. Dans des modes de réalisation d’un chemin de circuit de sélection-décodage, des circuits de tirage vers le haut et de tirage vers le bas sont utilisés pour sauvegarder des valeurs dans certains nœuds de sortie durant des modes à économie d’énergie ou des modes d’arrêt, ce qui permet à la source d’alimentation principale d’être arrêtée tout en conservant encore les valeurs.