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1. (WO2016195845) FONCTIONNEMENT À BASSE PUISSANCE POUR SYSTÈME DE MÉMOIRE FLASH
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/195845    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/029390
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 26.04.2016
CIB :
G11C 5/14 (2006.01), G11C 7/10 (2006.01), G11C 7/22 (2006.01), G11C 8/10 (2006.01), G11C 8/12 (2006.01), G11C 16/08 (2006.01), G11C 16/30 (2006.01), G11C 16/32 (2006.01), G11C 29/14 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : TRAN, Hieu Van; (US).
LY, Anh; (US).
VU, Thuan; (US).
NGUYEN, Hung Quoc; (GB).
NGUYEN, Viet Tan; (VN)
Mandataire : YAMASHITA, Brent; (US)
Données relatives à la priorité :
14/726,124 29.05.2015 US
Titre (EN) LOW POWER OPERATION FOR FLASH MEMORY SYSTEM
(FR) FONCTIONNEMENT À BASSE PUISSANCE POUR SYSTÈME DE MÉMOIRE FLASH
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a circuit and method for low power operation in a flash memory system. In disclosed embodiments of a selection-decoding circuit path, pull-up and pull-down circuits are used to save values at certain output nodes during a power save or shut down modes, which allows the main power source to be shut down while still maintaining the values.
(FR)La présente invention concerne un circuit et un procédé pour un fonctionnement à basse puissance dans un système de mémoire flash. Dans des modes de réalisation d’un chemin de circuit de sélection-décodage, des circuits de tirage vers le haut et de tirage vers le bas sont utilisés pour sauvegarder des valeurs dans certains nœuds de sortie durant des modes à économie d’énergie ou des modes d’arrêt, ce qui permet à la source d’alimentation principale d’être arrêtée tout en conservant encore les valeurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)