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1. (WO2016195843) DISTRIBUTION DE COURANT DE RÉINITIALISATION DANS UNE MÉMOIRE VIVE NON-VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/195843    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/029205
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 25.04.2016
CIB :
G11C 13/00 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : GULIANI, Sandeep K.; (US).
PRAGYAN, Ved; (US)
Mandataire : RASKIN, Vladimir; (US)
Données relatives à la priorité :
14/731,212 04.06.2015 US
Titre (EN) RESET CURRENT DELIVERY IN NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) DISTRIBUTION DE COURANT DE RÉINITIALISATION DANS UNE MÉMOIRE VIVE NON-VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure describe techniques and configurations for providing a reset current to a non-volatile random access memory (NVRAM), such as a phase change memory (PCM) device. In an embodiment, the apparatus may comprise an NVRAM device; a selection mirror circuit coupled with the NVRAM device to apply a selection mirror voltage to the NVRAM device, to select a memory cell of the NVRAM device; and a reset mirror circuit coupled with the NVRAM device to apply a reset mirror voltage to the memory cell of the NVRAM device, subsequent to the application of the selection mirror voltage, to reset the memory cell. The reset mirror voltage may be lower than the selection mirror voltage, to facilitate delivery of a reset current above a current threshold to the memory cell. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR)Des modes de réalisation de la présente invention concernent des techniques et des configurations pour fournir un courant de réinitialisation à une mémoire vive non-volatile (NVRAM), tel qu'un dispositif de mémoire à changement de phase (PCM). Dans un mode de réalisation, l'appareil peut comprendre un dispositif NVRAM ; un circuit miroir de sélection couplé au dispositif NVRAM pour appliquer une tension miroir de sélection au dispositif NVRAM, et sélectionner une cellule de mémoire du dispositif NVRAM ; et un circuit miroir de réinitialisation couplé au dispositif NVRAM pour appliquer une tension miroir de réinitialisation à la cellule de mémoire du dispositif NVRAM, après l'application de la tension miroir de sélection, pour réinitialiser la cellule de mémoire. La tension miroir de réinitialisation peut être inférieure à la tension miroir de sélection pour faciliter la distribution d'un courant de réinitialisation, supérieur à un seuil de courant, à la cellule de mémoire. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)