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1. (WO2016195763) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À RÉSISTANCE VARIABLE, ACCORDABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/195763 N° de la demande internationale : PCT/US2016/016003
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 01.02.2016
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : BOISE STATE UNIVERSITY[US/US]; 1910 University Drive Boise, ID 83725, US
Inventeurs : CAMPBELL, Kristy, A.; US
Mandataire : MEADERS, James D.; US
Données relatives à la priorité :
14/727,61801.06.2015US
Titre (EN) TUNABLE VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À RÉSISTANCE VARIABLE, ACCORDABLE
Abrégé : front page image
(EN) A variable resistance memory device (100, 200, 300, 400) includes a first electrode (110, 210, 310) and a second electrode (160, 260, 360). The device may includes a chalcogenide glass (140, 240, 340) layer between the first electrode and the second electrode. The chalcogenide glass layer may include a chalcogenide glass material co-deposited with a metal material. The device also includes a metal ion source structure (150, 250, 350) between the chalcogenide glass layer and the second electrode. The device may include a buffer layer (120, 220) between the first electrode and the chalcogenide glass layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire à résistance variable (100, 200, 300, 400) qui comprend une première électrode (110, 210, 310) et une seconde électrode (160, 260, 360). Le dispositif peut comprendre une couche de verre de chalcogénure (140, 240, 340) entre la première électrode et la seconde électrode. La couche de verre de chalcogénure peut comprendre un matériau de verre de chalcogénure co-déposé avec un matériau métallique. Le dispositif comprend également une structure de source d'ions métalliques (150, 250, 350) entre la couche de verre de chalcogénure et la seconde électrode. Le dispositif peut comprendre une couche tampon (120, 220) entre la première électrode et la couche de verre de chalcogénure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)