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1. (WO2016195704) ÉCRITURE DE BLOC DE DONNÉES MAPPÉE SUR UNE BANQUE DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/195704 N° de la demande internationale : PCT/US2015/034375
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 05.06.2015
CIB :
G06F 12/06 (2006.01)
Déposants : HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP[US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070, US
Inventeurs : BALASUBRAMONIAN, Rajeev; US
LESARTRE, Gregg B.; US
SCHREIBER, Robert; US
MURALIMANOHAR, Naveen; US
Mandataire : PAGAR, Preetam B.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DATA BLOCK WRITE MAPPED TO MEMORY BANK
(FR) ÉCRITURE DE BLOC DE DONNÉES MAPPÉE SUR UNE BANQUE DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN) Techniques for data block write mapped to memory bank are provided. In one aspect, a block of data to be written to a line in a bank of a rank of memory may be received. The rank of memory may comprise multiple banks, and the block of data may be written to a number of memory devices determined by the size of the data block. A memory device mapping may be retrieved. The mapping may determine the order in which the block of data is written to the memory devices within the rank. It may be determined when the banks of the memory devices used to store the line are available for writing. The block of data may be written to the banks of the memory devices when the banks are available for writing.
(FR) L'invention concerne des techniques d'écriture de bloc de données mappée sur une banque de mémoire. Selon un aspect de l'invention, un bloc de données à écrire sur une ligne dans une banque d'une rangée de mémoire peut être reçu. La rangée de mémoire peut comprendre de multiples banques, et le bloc de données peut être écrit sur un certain nombre de dispositifs de mémoire déterminé par la taille du bloc de données. Un mappage de dispositif de mémoire peut être récupéré. Le mappage peut déterminer l'ordre dans lequel le bloc de données est écrit sur les dispositifs de mémoire dans la rangée. Le moment où les banques des dispositifs de mémoire utilisés pour stocker la ligne sont disponibles pour l'écriture peut être déterminé. Le bloc de données peut être écrit sur les banques des dispositifs de mémoire lorsque les banques sont disponibles pour l'écriture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)