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1. (WO2016195701) DISPOSITIF ÉMETTEUR DU TYPE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/195701    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/034351
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 05.06.2015
CIB :
H01S 3/063 (2006.01)
Déposants : PETRESCU-PRAHOVA, Iulian, Basarab [RO/US]; (US)
Inventeurs : PETRESCU-PRAHOVA, Iulian, Basarab; (US)
Mandataire : WOLIN, Harris, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) EMITTER SEMICONDUCTOR LASER TYPE OF DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DU TYPE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor laser device with mirror protection includes transversally a structure with a double waveguide, consisting of an active waveguide and a separated or adjacent trapping waveguide, and longitudinally a main segment and end segments, the thickness of the upper cladding of the end segments being gradually decreased toward the mirrors. In the main segment, the field distribution is asymmetric, preponderantly located in the lower cladding. In the end segments, the field distribution gradually further shifts toward the lower cladding. Along the end segments, the fundamental mode confinement factor Γ is gradually and substantially reduced. The reduction of the confinement factor Γ protects against degradation the projection of the active region on the exit mirrors, the laser element most sensitive to degradation.
(FR)L'invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur à protection de miroirs, qui comprend transversalement une structure à guide d'ondes double, constituée d'un guide d'onde actif et d'un guide d'onde de piégeage adjacent ou séparé, et longitudinalement un segment principal et des segments d'extrémité, l'épaisseur de la gaine supérieure des segments d'extrémité décroissant progressivement en allant vers les miroirs. Dans le segment principal, la distribution du champ est asymétrique, majoritairement située dans la gaine inférieure. Dans les segments d'extrémité, la distribution du champ se décale encore progressivement vers la gaine inférieure. Le long des segments d'extrémité, le facteur de confinement Γ du mode fondamental est progressivement et sensiblement réduit. La réduction du facteur de confinement Γ protège contre la dégradation la projection de la région active sur les miroirs de sortie, qui est l'élément du laser le plus sensible à une dégradation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)