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1. (WO2016195664) ARCHITECTURE DE MÉMOIRE À HAUTE DENSITÉ UTILISANT DES COUCHES MÉTALLIQUES DE CÔTÉ ARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/195664    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/033757
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 02.06.2015
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : WANG, Yih; (US).
MORROW, Patrick; (US)
Mandataire : WINKLE, Robert G.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH DENSITY MEMORY ARCHITECTURE USING BACK SIDE METAL LAYERS
(FR) ARCHITECTURE DE MÉMOIRE À HAUTE DENSITÉ UTILISANT DES COUCHES MÉTALLIQUES DE CÔTÉ ARRIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic memory having metallization layers formed on a back side of a substrate, wherein the metallization layers on back side may be used for the formation of source lines and word lines. Such a configuration may allow for a reduction in bit cell area, a higher memory array density, and lower source line and word line resistances. Furthermore, such a configuration may also provide the flexibility to independently optimize interconnect performance for logic and memory circuits.
(FR)L'invention concerne une mémoire microélectronique comportant des couches de métallisation formées sur un côté arrière d'un substrat, les couches de métallisation du côté arrière pouvant être utilisées pour la formation de lignes de source et de lignes de mot. Ladite configuration peut permettre, pour une réduction de surface de cellule binaire, une plus grande densité de réseau de mémoire, des résistances de lignes de source et de lignes de mot inférieures. En outre, ladite configuration peut également fournir la flexibilité d'optimisation indépendante de performance d'interconnexion de circuits logiques et de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)