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1. (WO2016195664) ARCHITECTURE DE MÉMOIRE À HAUTE DENSITÉ UTILISANT DES COUCHES MÉTALLIQUES DE CÔTÉ ARRIÈRE

Pub. No.:    WO/2016/195664    International Application No.:    PCT/US2015/033757
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed Jun 03 01:59:59 CEST 2015
IPC: G11C 13/00
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: WANG, Yih
MORROW, Patrick
Title: ARCHITECTURE DE MÉMOIRE À HAUTE DENSITÉ UTILISANT DES COUCHES MÉTALLIQUES DE CÔTÉ ARRIÈRE
Abstract:
L'invention concerne une mémoire microélectronique comportant des couches de métallisation formées sur un côté arrière d'un substrat, les couches de métallisation du côté arrière pouvant être utilisées pour la formation de lignes de source et de lignes de mot. Ladite configuration peut permettre, pour une réduction de surface de cellule binaire, une plus grande densité de réseau de mémoire, des résistances de lignes de source et de lignes de mot inférieures. En outre, ladite configuration peut également fournir la flexibilité d'optimisation indépendante de performance d'interconnexion de circuits logiques et de mémoire.