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1. (WO2016195286) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/195286    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/005236
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 18.05.2016
CIB :
H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01)
Déposants : SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 15429 (KR)
Inventeurs : KIM, Mae Yi; (KR).
LEE, Seom Geun; (KR).
YOON, Yeo Jin; (KR).
LEE, Jin Woong; (KR).
RYU, Yong Woo; (KR)
Mandataire : AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0080148 05.06.2015 KR
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(KO) 발광 다이오드
Abrégé : front page image
(EN)A light-emitting diode, according to one embodiment, comprises a plurality of mesas comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer, wherein the first conductive semiconductor layer comprises: a light-emitting structure which comprises an exposure region exposed among the plurality of mesas; a first electrode which electrically connects with the first conductive semiconductor layer; a current interruption layer which is positioned on one portion of the plurality of mesas and one portion of the exposure region; a transparent electrode layer which partially covers the second conductive semiconductor layer and the current interruption layer, and is positioned on one portion of the plurality of mesas and one portion of the exposure region; and a second electrode which is positioned on the current interruption layer and the transparent electrode layer, and electrically connects with the second conductive semiconductor layer, wherein the current interruption layer may comprise a protrusion part and at least one connection part, the at least one connection part extending from one mesa among the plurality of mesas to another mesa adjacent to the one mesa, and the protrusion part protruding from the connection part and being positioned on the exposure region.
(FR)Selon un mode de réalisation, l'invention concerne une diode électroluminescente qui comprend une pluralité de mésas comprenant une première couche de semi-conducteur conductrice, une couche active et une seconde couche de semi-conducteur conductrice, la première couche de semi-conducteur conductrice comprenant : une structure électroluminescente qui comprend une région découverte qui est apparente parmi la pluralité de mésas ; une première électrode qui est électriquement connectée à la première couche de semi-conducteur conductrice ; une couche d'interruption de courant qui est positionnée sur une partie de la pluralité de mésas et une partie de la région découverte ; une couche d'électrode transparente qui couvre partiellement la seconde couche de semi-conducteur conductrice et la couche d'interruption de courant, et est positionnée sur une partie de la pluralité de mésas et une partie de la région découverte ; et une seconde électrode qui est positionnée sur la couche d'interruption de courant et la couche d'électrode transparente, et est électriquement connectée à la seconde couche de semi-conducteur conductrice, la couche d'interruption de courant pouvant comprendre une partie en saillie et au moins une partie de liaison, ladite partie de liaison s'étendant d'une mésa parmi la pluralité de mésas à une autre mésa adjacente à ladite mésa, et la partie en saillie faisant saillie de la partie de liaison et étant positionnée sur la région découverte.
(KO)일 실시예에 따른 발광 다이오드는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 메사들을 포함하되, 상기 제1 도전형 반도체층은 상기 복수의 메사들 사이에 노출된 노출 영역을 포함하는 발광 구조체, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제1 전극, 상기 복수의 메사들의 일부분 및 상기 노출 영역의 일부분 상에 위치하는 전류차단층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 전류차단층을 부분적으로 덮으며, 상기 복수의 메사들의 일부분 및 상기 노출 영역의 일부분 상에 위치하는 투명전극층, 및 상기 전류차단층 및 상기 투명전극층 상에 위치하고, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제2 전극을 포함하며, 상기 전류차단층은, 상기 복수의 메사들 중 일 메사로부터 상기 일 메사에 인접하는 또 다른 메사로 연장되는 적어도 하나의 연결부, 및 상기 연결부로부터 돌출되며 상기 노출 영역 상에 위치하는 돌출부를 포함할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)