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1. (WO2016194931) DISPOSITIF D'OBSERVATION IN SITU DU GAUCHISSEMENT D'UN SUBSTRAT ET APPAREIL DE CROISSANCE DE CRISTAL

Pub. No.:    WO/2016/194931    International Application No.:    PCT/JP2016/066135
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Thu Jun 02 01:59:59 CEST 2016
IPC: C30B 25/16
C30B 35/00
G01B 11/24
Applicants: NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISHA
並木精密宝石株式会社
Inventors: IKEJIRI Kenjiro
池尻 憲次朗
AIDA Hideo
会田 英雄
KOYAMA Koji
小山 浩司
KIM Seongwoo
金 聖祐
Title: DISPOSITIF D'OBSERVATION IN SITU DU GAUCHISSEMENT D'UN SUBSTRAT ET APPAREIL DE CROISSANCE DE CRISTAL
Abstract:
Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à fournir un dispositif capable d'une observation in situ d'un comportement de gauchissement d'un substrat de croissance de cristal, ainsi qu'un appareil de croissance de cristal. Par conséquent, un dispositif d'après la présente invention comprend au moins un substrat, une source de lumière qui émet une lumière laser et une unité de réception de lumière qui reçoit la lumière laser. Le gauchissement du substrat est observé in situ par l'intermédiaire de la lumière laser provenant de la source de lumière et réfléchie par une surface réfléchissante qui est la surface arrière du substrat, la lumière réfléchie étant reçue au niveau de l'unité de réception de lumière. La lumière laser est constituée de deux lumières parallèles séparées avant de pénétrer dans la surface réfléchissante. La réflexion de la surface arrière génère une différence de trajets optiques entre les lumières séparées et le gauchissement est observé in situ par l'intermédiaire de cette différence de trajets optiques. En outre, un tel dispositif est monté sur l'appareil de croissance de cristal dans lequel le cristal est développé sur une surface de croissance de cristal du substrat.