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1. (WO2016194795) TRANSISTOR À COUCHES MINCES COMPRENANT UNE COUCHE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2016/194795    International Application No.:    PCT/JP2016/065671
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Sat May 28 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/786
H01L 21/28
H01L 21/336
H01L 29/417
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
株式会社神戸製鋼所
Inventors: OCHI Mototaka
越智 元隆
KUGIMIYA Toshihiro
釘宮 敏洋
MORITA Shinya
森田 晋也
GOTO Hiroshi
後藤 裕史
TAKANASHI Yasuyuki
▲高▼梨 泰幸
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES COMPRENANT UNE COUCHE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à couches minces qui comprend, sur un substrat, au moins une électrode de grille, un film d'isolation de grille, une couche d'oxyde semi-conducteur, une électrode de source/drain, et deux films de protection ou plus, et qui est configuré de manière que : les éléments métalliques constituant la couche d'oxyde semi-conducteur soient In, Ga, Zn et Sn ; l'électrode de source/drain soit composée d'un film à base de Ti, d'un film à base de Mo, d'un film multicouche à base de Ti/à base de Cu ou d'un film multicouche à base de Mo/à base de Cu ; et l'électrode de source/drain soit directement collée à la couche d'oxyde semi-conducteur. Ce transistor à couches minces possède d'excellentes propriétés en termes de caractéristiques de commutation, de valeur S, de résistance aux contraintes mécaniques et de résistance aux contraintes optiques (en d'autres termes, la quantité de variation de la valeur de seuil du transistor due aux contraintes optiques est faible), tout en conservant une haute mobilité en champ électrique même si un film à base de Ti, un film à base de Mo, un film multicouche à base de Ti/à base de Cu ou un film multicouche à base de Mo/à base de Cu est utilisé pour l'électrode de source/drain.