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1. (WO2016194753) DISPOSITIF DE VISUALISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/194753    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/065541
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 26.05.2016
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01), G02F 1/1339 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : KATOH Sumio; (--)
Mandataire : OKUDA Seiji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-111528 01.06.2015 JP
Titre (EN) DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE VISUALISATION
(JA) 表示装置
Abrégé : front page image
(EN)A frame region (100f) of this display device (100) comprises a seal part (60s) and a transition part (60t) that electrically connects an active matrix substrate (10) and a counter substrate (30) with each other by means of conductive particles (62). A drive TFT (11A) provided in the frame region comprises a semiconductor layer (15), a first gate electrode (12gA), a source electrode (14sA), a drain electrode (14dA) and a second gate electrode (16gA) that is positioned opposite to the first gate electrode with respect to the semiconductor layer. In a display region (100d), the active matrix substrate has a projection structure that protrudes toward the counter substrate. In the frame region, the active matrix substrate has an insulating member (19) that is provided on the drive TFT and covers the second gate electrode. The insulating member is formed of the same dielectric film as the projection structure.
(FR)Selon l'invention, une région de cadre (100f) de ce dispositif d'affichage (100) comprend une partie d'étanchéité (60s) et une partie de transition (60t) qui relie électriquement un substrat de matrice active (10) et un contre-substrat (30) l'un avec l'autre au moyen de particules conductrices (62). Un transistor en couches minces (TFT) d'attaque (11A), disposé dans la région de cadre, comprend une couche de semi-conducteur (15), une première électrode de grille (12gA), une électrode de source (14sA), une électrode déversoir (14dA) et une seconde électrode de grille (16gA) qui est positionnée de façon opposée à la première électrode de grille par rapport à la couche de semi-conducteur. Dans une région d'affichage (100d), le substrat de matrice active présente une structure de projection qui fait saillie vers le contre-substrat. Dans la région de cadre, le substrat de matrice active possède un élément isolant (19) qui est disposé sur le TFT d'attaque et qui recouvre la seconde électrode de grille. L'élément isolant est formé du même film diélectrique que la structure de projection.
(JA)表示装置(100)の額縁領域(100f)は、シール部(60s)と、導電性粒子(62)によってアクティブマトリクス基板(10)と対向基板(30)とを電気的に接続する転移部(60t)とを含む。額縁領域に設けられた駆動TFT(11A)は、半導体層(15)と、第1ゲート電極(12gA)と、ソース電極(14sA)およびドレイン電極(14dA)と、半導体層に対して第1ゲート電極とは反対側に位置する第2ゲート電極(16gA)とを有する。表示領域(100d)において、アクティブマトリクス基板は、対向基板側に突き出た突起構造体を有し、額縁領域において、アクティブマトリクス基板は、駆動TFT上に設けられ、第2ゲート電極を覆う絶縁部材(19)を有し、絶縁部材は、突起構造体と同じ誘電体膜から形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)