Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2016194717) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, FILM DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, COUCHE DE BLOCAGE D'ÉLECTRONS, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/194717 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/065386
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 25.05.2016
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 51/42 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42
spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
長谷川 雄大 HASEGAWA Yuta; JP
松澤 伸行 MATSUZAWA Nobuyuki; JP
保原 大介 HOBARA Daisuke; JP
若宮 淳志 WAKAMIYA Atsushi; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-11452605.06.2015JP
2016-09829216.05.2016JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, PHOTOELECTRIC CONVERSION FILM, ELECTRON BLOCKING LAYER, IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, FILM DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, COUCHE DE BLOCAGE D'ÉLECTRONS, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、光電変換膜、電子ブロック層、撮像装置、および電子機器
Abrégé :
(EN) The present technique relates to: a solid-state imaging element which has high spectral characteristics with respect to light having a specific wavelength and enables adequate photoelectric conversion at high photoelectric conversion efficiency; a photoelectric conversion film; an electron blocking layer; an imaging device; and an electronic device. This photoelectric conversion layer or electron blocking layer is configured of a photoelectric conversion film that is composed only of a compound represented by chemical formula (1). The present technique is applicable to a solid-state imaging element.
(FR) La présente invention concerne : un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui possède des caractéristiques spectrales élevées relativement à de la lumière ayant une longueur d'onde spécifique et permet une conversion photoélectrique adéquate à haut rendement de conversion photoélectrique; un film de conversion photoélectrique; une couche de blocage d'électrons; un dispositif d'imagerie; et un dispositif électronique. Cette couche de conversion photoélectrique ou couche de blocage d'électrons est constituée d'un film de conversion photoélectrique qui est uniquement constitué d'un composé représenté par la formule chimique (1). La présente invention est applicable à un élément d'imagerie à semi-conducteurs.
(JA) 本技術は、特定の波長の光に対して高い分光特性で、かつ、高い光電変換効率で適切に光電変換することができるようにする固体撮像素子、光電変換膜、電子ブロック層、撮像装置、および電子機器に関する。 光電変換層または電子ブロッキング層は、化学式(1)で表される化合物のみからなる光電変換膜により構成されるようにする。 本技術は、固体撮像素子に適用することができる。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)