WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016194696) CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT PAR PULVÉRISATION L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/194696    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/065249
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 24.05.2016
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716 (JP)
Inventeurs : WATANABE Hiroto; (JP)
Mandataire : TSUJIKAWA Michinori; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-110620 29.05.2015 JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING DEPOSITION METHOD USING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT PAR PULVÉRISATION L'UTILISANT
(JA) スパッタリングターゲット及びこれを用いたスパッタリング成膜方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a sputtering target capable of reducing generation of particles resulting from abnormal discharge and arcing. This sputtering target is used for magnetron sputtering, and a plate-like member is detachably fitted in a non-erosion region located at the central portion of a target surface of the sputtering target. When the sputtering target is fitted in, the surface of the plate-like member on the target surface side is preferably almost flush with the target surface before the sputtering target is eroded or is preferably disposed at a position recessed from the target surface.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation susceptible de réduire la génération de particules résultant d'une décharge et d'une formation d'arc anormales. Une telle cible de pulvérisation est utilisée pour la pulvérisation par magnétron. Un élément de type plaque est fixé de manière amovible dans une région de non-érosion située au niveau de la partie centrale d'une surface cible de la cible de pulvérisation. Lorsque la cible de pulvérisation est fixée, la surface de l'élément de type plaque sur le côté de la surface cible est de préférence quasiment au niveau de la surface cible avant que la cible de pulvérisation ne soit érodée, ou est de préférence située en une position en retrait par rapport à la surface cible.
(JA)アーキングや異常放電によるパーティクルの発生を低減させることが可能なスパッタリングターゲットを提供する。 マグネトロンスパッタリングに使用されるスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットのターゲット面の中央部に位置する非エロージョン領域に、板状部材が着脱自在に嵌め込まれている。板状部材のターゲット面側の表面は、スパッタリングターゲットに嵌め込んだ時にスパッタリングターゲットのエロ―ジョン前のターゲット面とほぼ同じ高さであるか、または該ターゲット面より凹んだ位置に配されることが好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)