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1. (WO2016194694) VERRE POUR LE RECOUVREMENT D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/194694 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/065244
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 24.05.2016
CIB :
C03C 8/04 (2006.01) ,C03C 8/14 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
03
VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
C
COMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, SUBSTANCES MINÉRALES OU SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
8
Emaux; Glaçures; Compositions de scellement par fusion constituées de frittes vitreuses contenant des additifs
02
Compositions en verre fritté, c. à d. broyées ou sous forme de poudre
04
contenant du zinc
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
03
VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
C
COMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, SUBSTANCES MINÉRALES OU SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
8
Emaux; Glaçures; Compositions de scellement par fusion constituées de frittes vitreuses contenant des additifs
14
Mélanges de frittes vitreuses contenant des additifs, p.ex. des agents opacifiants, des colorants, des agents de broyage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Déposants :
日本電気硝子株式会社 NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD. [JP/JP]; 滋賀県大津市晴嵐二丁目7番1号 7-1, Seiran 2-chome, Otsu-shi Shiga 5208639, JP
Inventeurs :
西川 欣克 NISHIKAWA Yoshikatsu; JP
Données relatives à la priorité :
2015-11111501.06.2015JP
Titre (EN) GLASS FOR COVERING SEMICONDUCTOR ELEMENTS
(FR) VERRE POUR LE RECOUVREMENT D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体素子被覆用ガラス
Abrégé :
(EN) Provided is a glass for covering semiconductor elements, which is capable of suppressing warp of a semiconductor element if the semiconductor element is covered thereby. A glass for covering semiconductor elements, which is characterized by having a glass composition that contains, in mass%, 52-68% of ZnO, 5-30% of B2O3, 12.5-25% of SiO2 (excluding 12.5%), 0-3% of Al2O3 (excluding 3%) and 0-6% of RO (wherein R represents at least one element selected from among Mg, Ca, Sr and Ba) and does not substantially contain an alkali metal component and a lead component.
(FR) L'invention concerne un verre pour le recouvrement d'éléments semi-conducteurs, qui est apte à supprimer le gauchissement d'un élément semi-conducteur si l'élément semi-conducteur est recouvert de ce dernier. Le verre pour le recouvrement d'éléments semi-conducteurs est caractérisé en ce qu'il présente une composition de verre qui contient, en % en masse, 52 à 68 % de ZnO, 5 à 30 % de B2O3, 12,5 à 25 % de SiO2 (à l'exclusion de 12,5 %), 0 à 3 % de Al2O3 (à l'exclusion de 3 %) et 0 à 6% de RO (dans lequel R représente au moins un élément choisi parmi le Mg, le Ca, le Sr et le Ba) et ne contient sensiblement pas de constituant métal alcalin et de constituant plomb.
(JA) 半導体素子に被覆した場合に、半導体素子の反りを抑制することが可能な半導体素子被覆用ガラスを提供する。 ガラス組成として、質量%で、ZnO 52~68%、B 5~30%、SiO 12.5~25%(ただし12.5%を含まない)、Al 0~3%(ただし3%を含まない)、及びRO 0~6%(RはMg、Ca、Sr及びBaから選択される少なくとも1種)を含有し、かつ、アルカリ金属成分、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体素子被覆用ガラス。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)