WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016194654) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2016/194654 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/065024
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 20.05.2016
CIB :
H01L 27/14 (2006.01) ,G02B 1/115 (2015.01) ,G02B 1/118 (2015.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/357 (2011.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs : OSHIYAMA Itaru; JP
TANAKA Hiroshi; JP
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-11452505.06.2015JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子
Abrégé : front page image
(EN) The present art relates to a solid-state image pickup element that makes it possible to suppress reflection of inputted light in a broad wavelength band. Disclosed is a solid-state image pickup element wherein a reflectance adjustment layer is provided on a substrate, which is formed of Si or the like in the input direction of input light, and which adjusts input light reflection on the substrate, said reflectance adjustment layer being configured from a first layer formed on the substrate, and a second layer formed on the first layer. The first layer is configured from an irregular structure that is provided on the substrate, and a material, which is applied to the recessed sections of the uneven structure, and which has a reflectance that is lower than that of the substrate, and the second layer is configured from a material having a reflectance that is lower than that of the first layer. The reflectance of the substrate formed of Si or the like can be reduced by applying the principle of interference of thin films. The present art can be applied to solid-state image pickup elements.
(FR) La présente invention concerne un élément de capture d'image à semi-conducteurs qui permet de supprimer la réflexion de la lumière entrée dans une large bande de longueur d'onde. L'invention porte sur un élément de capture d'image à semi-conducteurs dans lequel une couche de réglage du facteur de réflexion est disposée sur un substrat, qui est formé de silicium (Si), ou analogue, dans la direction d'entrée de la lumière d'entrée, et qui règle le facteur de réflexion de la lumière d'entrée sur le substrat, ladite couche de réglage du facteur de réflexion étant configurée à partir d'une première couche formée sur le substrat, et d'une seconde couche formée sur la première couche. La première couche est configurée à partir d'une structure irrégulière qui est disposée sur le substrat, et d'un matériau, qui est appliqué sur les sections évidées de la structure irrégulière, et qui présente un facteur de réflexion qui est inférieur à celui du substrat, et la seconde couche est configurée à partir d'un matériau présentant un facteur de réflexion qui est inférieur à celui de la première couche. Le facteur de réflexion du substrat formé de Si, ou similaire, peut être réduit par application du principe d'interférence de couches minces. La présente invention peut être appliquée à des éléments de capture d'image à semi-conducteurs.
(JA) 本技術は、幅広い波長帯域の入射光の反射を抑制することができるようにする固体撮像素子に関する。 Siなどの基板に対して、入射光の入射方向となる基板上に設けられ、基板における入射光の反射を調整する、基板上に形成される第1層と、第1層上に形成される第2層からなる反射率調整層が設けられる。第1層は、基板上に設けられる凹凸構造と、その凹凸構造上の凹部に充填される基板よりも低屈折率の材料とから構成され、第2層が、第1層の屈折率よりも低屈折率の材料とから構成される。薄膜の干渉の原理を応用することで、Siなどの基板の反射率を低減させることができる。本技術が、固体撮像素子に適用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)