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1. (WO2016194620) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/194620    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/064830
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 19.05.2016
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), G02B 7/34 (2006.01), G03B 13/36 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 9/07 (2006.01)
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
Inventeurs : WATANABE Taiichiro; (JP).
KOGA Fumihiko; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-111336 01.06.2015 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置および電子機器
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure pertains to a solid-state imaging device and an electronic device which are able to improve focus detection accuracy. In a phase difference detecting pixel, an interlayer film is formed on a semiconductor substrate which has a Si PD formed thereon, in the same manner as in an imaging pixel. However, unlike an imaging pixel, the interlayer film includes a light-shielding film 35 so as to shield a half of the phase difference detecting pixel from light, and does not have an organic photoelectric conversion film disposed at the light incident side (on the interlayer film) outside the semiconductor substrate. The present disclosure is applicable to, for example, a CMOS solid-state imaging device in which an organic film is used for a photoelectric conversion section.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif d'imagerie à semi-conducteur et à un dispositif électronique qui sont en mesure d'améliorer la précision de détection de mise au point. Dans un pixel de détection de déphasage, un film de couche intermédiaire est formé sur un substrat semi-conducteur sur lequel est formé un photodétecteur de Si, de la même manière que dans un pixel d'imagerie. Toutefois, contrairement à un pixel d'imagerie, le film de couche intermédiaire comprend un film de protection contre la lumière 35 de sorte à protéger une moitié du pixel de détection de déphasage contre la lumière, et ne présente pas de film de conversion photoélectrique organique disposé au niveau du côté d'incidence de la lumière (sur le film de couche intermédiaire) à l'extérieur du substrat semi-conducteur. La présente invention est applicable, par exemple, à un dispositif d'imagerie à semi-conducteur CMOS, un film organique étant utilisé pour une partie de conversion photoélectrique.
(JA)本開示は、焦点検出の精度を向上させることができるようにする固体撮像装置および電子機器に関する。 位相差検出画素においては、撮像用画素と同様に、Si PDが形成された半導体基板上に、層間膜が形成されている。しかしながら、撮像用画素と異なり、層間膜には、位相差検出画素の半分を遮光するための遮光膜35が設けられており、さらに、半導体基板外の光入射側(層間膜上)に有機光電変換膜が設けられていない。本開示は、例えば、有機膜を光電変換部に用いられるCMOS固体撮像装置に適用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)