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1. (WO2016194613) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, MOTIF DE RÉSERVE, PROCESSUS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN FILM DE COUCHE SUPÉRIEURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/194613 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/064742
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 18.05.2016
CIB :
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
30
Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
32
Compositions liquides à cet effet, p.ex. développateurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
井上 尚紀 INOUE Naoki; JP
丹呉 直紘 TANGO Naohiro; JP
山本 慶 YAMAMOTO Kei; JP
白川 三千紘 SHIRAKAWA Michihiro; JP
後藤 研由 GOTO Akiyoshi; JP
Mandataire :
高松 猛 TAKAMATSU Takeshi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-11036229.05.2015JP
Titre (EN) PATTERN FORMATION METHOD, RESIST PATTERN, PROCESS FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, AND COMPOSITION FOR UPPER-LAYER FILM FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, MOTIF DE RÉSERVE, PROCESSUS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN FILM DE COUCHE SUPÉRIEURE
(JA) パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び上層膜形成用組成物
Abrégé :
(EN) A pattern formation method comprising a step in which a composition for upper-layer film formation that comprises a resin having a ClogP(Poly) of 3.0 or greater and at least one compound selected from the group consisting of (A1) to (A4) described in the description is applied to a resist film to form an upper-layer film, a step in which the resist film is exposed to light, and a step in which the exposed resist film is developed with a developing liquid comprising an organic solvent; a resist pattern formed by the pattern formation method; a process for producing electronic devices which includes the pattern formation method; and the composition for upper-layer film formation.
(FR) La présente invention a trait : à un procédé de formation de motif qui comprend une étape au cours de laquelle une composition pour la formation d'un film de couche supérieure qui contient une résine ayant une valeur ClogP(Poly) de 3,0 ou plus et au moins un composé choisi dans le groupe constitué par (A1) à (A4) définis dans la description est appliquée sur un film de réserve afin de former un film de couche supérieure, une étape au cours de laquelle le film de réserve est exposé à la lumière, et une étape au cours de laquelle le film de réserve exposé est développé à l'aide d'un liquide de développement contenant un solvant organique; à un motif de réserve formé grâce au procédé de formation de motif; à un processus de fabrication de dispositifs électroniques qui inclut le procédé de formation de motif; et à la composition pour la formation du film de couche supérieure.
(JA) レジスト膜上に、ClogP(Poly)が3.0以上である樹脂と明細書に記載の(A1)~(A4)からなる群より選択される少なくとも1種の化合物とを含有する上層膜形成用組成物を塗布して上層膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及び露光されたレジスト膜を有機溶剤を含む現像液で現像する工程を含むパターン形成方法、上記パターン形成方法により形成されたレジストパターン、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法、及び、上記上層膜形成用組成物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)