WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016194431) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/194431    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/057437
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 09.03.2016
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001 (JP)
Inventeurs : YAMAGISHI Masanori; (JP).
SAIKI Naoya; (JP).
SATO Akinori; (JP)
Mandataire : KINOSHITA & ASSOCIATES; 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-109679 29.05.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is characterized by including: a step for forming a resin layer (13) on the bump formation surface of a bump-equipped member (2) on which a plurality of bumps (22) are formed; and a step for performing a plasma treatment on the resin layer (13) to remove the resin layer (13) which covers the surface of the bumps (22).
(FR)La présente invention est caractérisée en ce qu'elle comprend : une étape qui consiste à former une couche de résine (13) sur la surface de formation de perle d'un élément pourvu de perles de soudure sur lequel sont formées une pluralité de perles (22); et une étape qui consiste à effectuer un traitement au plasma sur la couche de résine (13) pour éliminer la couche de résine (13) qui recouvre la surface des perles (22).
(JA)複数のバンプ(22)が形成されているバンプ付部材(2)のバンプ形成面に樹脂層(13)を形成する工程と、樹脂層(13)にプラズマ処理を施して、バンプ(22)の表面を覆っている樹脂層(13)を除去する工程と、を備えることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)