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1. (WO2016194369) ÉLÉMENT DE MODULATION OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/194369 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/002649
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 01.06.2016
CIB :
G02F 1/025 (2006.01) ,G02F 1/225 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
015
basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel, p.ex. jonction PN, PIN
025
dans une structure de guide d'ondes optique
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
21
par interférence
225
dans une structure de guide d'ondes optique
Déposants :
日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116, JP
Inventeurs :
小木曽 義弘 OGISO, Yoshihiro; JP
尾崎 常祐 OZAKI, Josuke; JP
柏尾 典秀 KASHIO, Norihide; JP
菊池 順裕 KIKUCHI, Nobuhiro; JP
神徳 正樹 KOHTOKU, Masaki; JP
Mandataire :
特許業務法人 谷・阿部特許事務所 TANI & ABE, P.C.; 東京都港区赤坂2丁目6-20 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2015-11244802.06.2015JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE MODULATION OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体光変調素子
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a Mach-Zehnder (MZ) type semiconductor optical modulation element usable as an ultrafast modulator having excellent electrical stability. The present invention provides a semiconductor optical modulation element, which is a Mach-Zehnder type semiconductor optical modulation element that modulates light using a refractive index modulation region for modulating the refractive index of the light guided to an optical waveguide and an input and output region for multi/demultiplexing the light split in the refractive index modulation region, said semiconductor optical modulation element being characterized in that: in the refractive index modulation region of the optical waveguide, an n-type clad layer, an i core layer, and a p-type clad layer are laminated from top to bottom in that order on the substrate surface equivalent to the (100) plane of a sphalerite-type semi-insulating semiconductor crystal substrate; and the n-type clad layer is formed in a ridge shape along a reverse-mesa direction, and a capacity charged electrode is provided on the n-type clad layer.
(FR) La présente invention a pour objectif de mettre en œuvre un élément de modulation optique à semi-conducteurs du type Mach-Zehnder (MZ) servant de modulateur ultra-rapide ayant une excellente stabilité électrique. La présente invention concerne un élément de modulation optique à semi-conducteurs, qui est un élément de modulation optique à semi-conducteurs du type Mach-Zehnder qui module la lumière en utilisant une région de modulation d’indice de réfraction à des fins de modulation de l’indice de réfraction de la lumière guidée jusqu’à un guide d’onde optique et une région d’entrée et de sortie à des fins de multiplexage/démultiplexage de la lumière séparée dans la région de modulation d’indice de réfraction, ledit élément de modulation optique à semi-conducteurs étant caractérisé en ce que : dans la région de modulation d’indice de réfraction du guide d’onde optique, une couche de revêtement du type n, une couche centrale i, et une couche de revêtement du type p sont stratifiées de haut en bas dans cet ordre sur la surface du substrat équivalente au plan (100) d’un substrat de cristal à semi-conducteurs semi-isolant du type sphalérite ; et la couche de revêtement de type n est formée en une forme de nervure le long d’une direction mesa inverse, et une électrode chargée de capacité est mise en œuvre sur la couche de revêtement du type n.
(JA) 超高速かつ電気的安定性に優れた変調器として使用できるマッハツェンダ型(MZ)の半導体光変調素子を提供すること。光導波路に導波する光の屈折率を変調する屈折率変調領域と該屈折率変調領域で分岐する光の合分波を行う入出力領域とによって光の変調を行うマッハツェンダ型の半導体光変調素子であって、前記光導波路は、屈折率変調領域においては、閃亜鉛鉱形半絶縁性の半導体結晶基板の(100)面と等価な基板面上に、上層からn型クラッド層とiコア層とp型クラッド層とが積層されており、前記n型クラッド層は逆メサ方向にリッジ形状に形成され、該n型クラッド層上に容量装荷電極を設けたことを特徴とする半導体光変調素子。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)