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1. (WO2016194211) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/194211    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/066263
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 04.06.2015
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : TOSHIBA MEMORY CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
Inventeurs : WATANABE, Yuta; (JP).
ARAI, Fumitaka; (JP).
SEKINE, Katsuyuki; (JP).
IWAMOTO, Toshiyuki; (JP).
SAKAMOTO, Wataru; (JP).
KATO, Tatsuya; (JP)
Mandataire : HYUGAJI, Masahiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体記憶装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The semiconductor storage device according to an embodiment is provided with: a semiconductor pillar that extends in a first direction; a first electrode that extends in a second direction intersecting the first direction; a second electrode provided between the semiconductor pillar and the first electrode; a first insulating film provided between the semiconductor pillar and the second electrode; and a second insulating film provided between the first electrode and the second electrode. The second electrode includes a thin plate portion that is disposed at the first electrode side and a thick plate portion that is disposed at the semiconductor pillar side and that has a length in the first direction longer than that of the thin plate portion.
(FR)Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un dispositif de stockage à semi-conducteur qui comprend : un pilier semi-conducteur qui s'étend dans une première direction; une première électrode qui s'étend dans une seconde direction croisant la première direction; une seconde électrode disposée entre le pilier semi-conducteur et la première électrode; un premier film isolant disposé entre le pilier semi-conducteur et la seconde électrode; et un second film isolant disposé entre la première électrode et la seconde électrode. La seconde électrode comprend une partie plaque mince qui est disposée du côté de la première électrode et une partie plaque épaisse qui est disposée du côté du pilier semi-conducteur et qui présente une longueur, dans la première direction, plus grande que celle de la partie plaque mince.
(JA)実施形態に係る半導体記憶装置は、第1方向に延びる半導体ピラーと、前記第1方向に対して交差した第2方向に延びる第1電極と、前記半導体ピラーと前記第1電極との間に設けられた第2電極と、前記半導体ピラーと前記第2電極との間に設けられた第1絶縁膜と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第2絶縁膜と、を備える。前記第2電極は、前記第1電極側に配置された薄板部と、前記半導体ピラー側に配置され、前記第1方向における長さが前記薄板部よりも長い厚板部と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)