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1. (WO2016194175) SYSTÈME DE MÉMORISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/194175 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/066069
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2015
CIB :
G06F 12/16 (2006.01) ,G06F 12/08 (2016.01) ,G11C 11/15 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
16
Protection contre la perte de contenus de mémoire
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
02
Adressage ou affectation; Réadressage
08
dans des systèmes de mémoires hiérarchiques, p.ex. systèmes de mémoire virtuelle
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
14
utilisant des éléments à pellicules minces
15
utilisant des couches magnétiques multiples
Déposants :
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
Inventeurs :
半澤 悟 HANZAWA, Satoru; JP
千種 隆 CHIKUSA, Takashi; JP
守時 直樹 MORITOKI, Naoki; JP
Mandataire :
特許業務法人第一国際特許事務所 PATENT CORPORATE BODY DAI-ICHI KOKUSAI TOKKYO JIMUSHO; 東京都港区芝4丁目10番5号 10-5, Shiba 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) STORAGE SYSTEM
(FR) SYSTÈME DE MÉMORISATION
(JA) ストレージシステム
Abrégé :
(EN) A storage system according to an embodiment of the present invention comprises a storage controller and storage devices, said storage controller having a processor and a memory device that has a memory chip using magnetoresistive elements as memory elements, and that also has a memory controller for controlling the memory chip. The processor manages the storage regions of the memory chip by differentiating those currently being used by the processor from those not currently being used by the processor. The processor performs an update process on each of the currently used storage regions at regular intervals. In this update process, the data stored in a storage region are read and then written back to that storage region.
(FR) La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un système de mémorisation comprenant un contrôleur de mémorisation et des dispositifs de mémorisation, ledit contrôleur de mémorisation possédant un processeur et un dispositif de mémoire possédant une puce mémoire utilisant des éléments magnétorésistants en tant qu'éléments de mémoire, et possédant également un contrôleur de mémoire pour la commande de la puce mémoire. Le processeur gère les zones de mémorisation de la puce mémoire en différenciant celles en cours d'utilisation par le processeur de celles qui ne sont pas en cours d'utilisation par le processeur. Le processeur exécute un processus de mise à jour sur chacune des zones de mémorisation en cours d'utilisation à intervalles réguliers. Au cours dudit processus de mise à jour, les données mémorisées dans une zone de mémorisation sont lues puis réécrites vers ladite zone de mémorisation.
(JA) 本発明の一実施形態に係るストレージシステムは、磁気抵抗効果素子を記憶素子として用いたメモリチップと当該メモリチップの制御を行うメモリコントローラを有するメモリ装置と、プロセッサとを有するストレージコントローラと、記憶デバイスを有する。プロセッサはメモリチップの記憶領域を、プロセッサが使用中の記憶領域と未使用の記憶領域とに分けて管理している。そしてプロセッサは定期的に、使用中の記憶領域について更新処理を実施する。更新処理では、記憶領域に格納されているデータを一旦前記記憶領域から読み出して前記記憶領域に書き戻すことが行われる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)