Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2016194116) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2016/194116    International Application No.:    PCT/JP2015/065808
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Tue Jun 02 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 29/739
H01L 29/78
Applicants: HITACHI, LTD.
株式会社日立製作所
Inventors: YOSHIMOTO, Hiroyuki
吉元 広行
WATANABE, Naoki
渡辺 直樹
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Abstract:
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (Sic-IGBT) dans lequel une couche de dérive de type n DRL, qui est formée sur une couche tampon BUF, est conçue pour comprendre (c1) une première zone de migration de type n DRL1 qui est formée sur la couche tampon BUF et (c2) une seconde zone de migration de type n DRL2 qui est formée sur la première zone de migration DRL1 ; (c3) la concentration en impuretés de la première zone de migration DRL1 est inférieure à la concentration en impuretés de la couche tampon BUF et supérieure à la concentration en impuretés de la seconde zone de migration DRL2 ; et (c4) la première zone de migration DRL1 est plus mince que la seconde zone de migration DRL2. En donnant à la couche de dérive DRL cette structure multicouche, le champ électrique au niveau de la surface sur le côté zone d'émetteur peut être réduit même si une haute tension est appliquée lorsque le dispositif à semi-conducteur est mis hors tension. De plus, étant donné qu'une zone où des porteuses se sont accumulées peut être retenue lorsque la commutation est effectuée, le bruit peut être réduit.