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1. (WO2016193908) DISPOSITIF MAGNÉTIQUE CONFIGURÉ AFIN D'EXÉCUTER UNE FONCTION DE SOMMATEUR ANALOGIQUE, ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN TEL DISPOSITIF MAGNÉTIQUE
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N° de publication : WO/2016/193908 N° de la demande internationale : PCT/IB2016/053195
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 31.05.2016
CIB :
G11C 11/16 (2006.01) ,H03F 15/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
15
Amplificateurs utilisant des effets galvanomagnétiques ne comportant pas de mouvement mécanique, p.ex. utilisant l'effet Hall
Déposants :
CROCUS TECHNOLOGY SA [FR/FR]; 5, place Robert Schuman 38025 Grenoble, FR
Inventeurs :
STAINER, Quentin; FR
Mandataire :
P&TS SA (AG, LTD.); Av. J.-J. Rousseau 4 P.O. Box 2848 2001 Neuchâtel, CH
Données relatives à la priorité :
15290151.805.06.2015EP
Titre (EN) MAGNETIC DEVICE CONFIGURED TO PERFORM AN ANALOG ADDER CIRCUIT FUNCTION AND METHOD FOR OPERATING SUCH MAGNETIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF MAGNÉTIQUE CONFIGURÉ AFIN D'EXÉCUTER UNE FONCTION DE SOMMATEUR ANALOGIQUE, ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN TEL DISPOSITIF MAGNÉTIQUE
Abrégé :
(EN) A magnetic device (100) configured to perform an analog adder circuit function and comprising a plurality of magnetic units, each including n magnetic tunnel junction (2, 2', 2", 2"',...) electrically connected in series via a current line (3), each magnetic tunnel junction comprising a storage magnetic layer (23) having a storage magnetization (230), a sense magnetic layer (21) having a sense magnetization (210), and a tunnel barrier layer (22); n input lines (4, 4', 4", 4"',...), each being configured to generate a magnetic field (42, 42', 42", 42'",...) adapted for varying a direction of the sense magnetization (210) and a resistances (R1, R2) of a corresponding one of the n magnetic tunnel junctions, based on a corresponding input (41, 41', 41 ", 41 "',...) wherein the junction resistance of said corresponding one of said n magnetic tunnel junctions varies linearly based on said corresponding input; wherein each of the n magnetic units is configured to add said n inputs (41, 41', 41 ", 41'",...) to generate an output signal (Vout) that varies in response to the n resistances (R1, R2, R3, R4,...); the n input lines being configured to conduct n independent signals so that the output signal can vary as a function of the n independent input signals.
(FR) L'invention concerne un dispositif magnétique (100) configuré afin d'exécuter une fonction de sommateur analogique et comprenant une pluralité d'unités magnétiques, chacune comprenant n jonctions à effet tunnel magnétiques (2, 2', 2", 2"',...) reliées électriquement en série par l'intermédiaire d'une ligne de courant (3), chaque jonction à effet tunnel magnétique comprenant une couche magnétique de stockage (23) ayant une magnétisation de stockage (230), une couche magnétique de détection (21) ayant une magnétisation de détection (210), et une couche barrière à effet tunnel (22) ; n lignes d'entrée (4, 4', 4", 4"',...), chacune étant configurée pour générer un champ magnétique (42, 42', 42", 42'",...) conçu pour varier une direction de la magnétisation de détection (210) et n résistances (R1, R2) d'une jonction correspondante parmi les n jonctions à effet tunnel magnétiques, sur la base d'une entrée correspondante (41, 41', 41", 41"',...), la résistance de jonction de ladite jonction correspondante parmi lesdites n jonctions à effet tunnel magnétiques variant de façon linéaire sur la base de ladite entrée correspondante ; chacune des n unités magnétiques étant configurée pour ajouter lesdites n entrées (41, 41', 41", 41'",...) pour générer un signal de sortie (Vsortie) qui varie en réponse aux n résistances (R1, R2, R3, R4,...) ; les n lignes d'entrée étant configurées pour conduire n signaux indépendants de telle sorte que le signal de sortie peut varier en fonction des n signaux d'entrée indépendants.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)