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1. (WO2016193849) DISPOSITIF D'ENTRÉE/SORTIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/193849    N° de la demande internationale :    PCT/IB2016/052927
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 19.05.2016
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), G06F 3/041 (2006.01), G06F 3/044 (2006.01), G09F 9/00 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : SHISHIDO, Hideaki; (JP).
KUSUNOKI, Koji; (JP).
TOYOTAKA, Kouhei; (JP).
WATANABE, Kazunori; (JP).
KANEYASU, Makoto; (--)
Données relatives à la priorité :
2015-110612 29.05.2015 JP
Titre (EN) INPUT/OUTPUT DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ENTRÉE/SORTIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An input/output device is provided. The input/output device includes a first pixel electrode, a second pixel electrode, a first common electrode, a second common electrode, a liquid crystal, a first insulating film, a second insulating film, and a transistor. The first common electrode can serve as one electrode of a sensor element. The second common electrode can serve as the other electrode of the sensor element. The transistor includes a first gate, a second gate, and a semiconductor layer. The pixel electrode, the common electrodes, and the second gate are positioned on different planes. The second gate contains one or more kinds of metal elements included in the semiconductor layer. The second gate, the pixel electrode, and the common electrodes preferably contain one or more kinds of metal elements included in the semiconductor layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'entrée/sortie. Le dispositif d'entrée/sortie comprend une première électrode de pixel, une seconde électrode de pixel, une première électrode commune, une seconde électrode commune, des cristaux liquides, un premier film isolant, un second film isolant et un transistor. La première électrode commune peut servir d'électrode d'un élément capteur. La seconde électrode commune peut servir d'autre électrode de l'élément capteur. Le transistor comprend une première grille, une seconde grille et une couche semi-conductrice. L'électrode de pixel, les électrodes communes et la seconde grille sont disposées sur des plans différents. La seconde grille contient un ou plusieurs types d'éléments métalliques compris dans la couche semi-conductrice. La seconde grille, l'électrode de pixel et les électrodes communes contiennent, de préférence, un ou plusieurs types d'éléments métalliques compris dans la couche semi-conductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)