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1. (WO2016193409) PROCÉDÉS DE FORMATION D'ÉLECTRODES MÉTALLIQUES SUR DES SURFACES DE SILICIUM DE POLARITÉS OPPOSÉES
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N° de publication : WO/2016/193409 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/062602
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01)
Déposants : IMEC VZW[BE/BE]; Kapeldreef 75 3001 Leuven, BE
Inventeurs : RUSSELL, Richard; BE
Mandataire : CLERINX, Peter; BE
Données relatives à la priorité :
EP15170705.604.06.2015EP
Titre (EN) METHODS FOR FORMING METAL ELECTRODES ON SILICON SURFACES OF OPPOSITE POLARITY
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION D'ÉLECTRODES MÉTALLIQUES SUR DES SURFACES DE SILICIUM DE POLARITÉS OPPOSÉES
Abrégé : front page image
(EN) A method is provided for concurrently forming a first metal electrode on an n-type region of a silicon substrate and a second metal electrode on a p-type region of the silicon substrate. The method comprises providing a silicon substrate comprising an n-type region and a p-type region, wherein the n-type region is exposed at a first substrate surface in a first area and wherein the p-type region is exposed at a second substrate surface in a second area; depositing an initial Ni layer on the substrate simultaneously in the first area and in the second area by performing a Ni immersion plating process; and depositing a further metal layer on the initial Ni layer in the first area and in the second area by performing an electroless metal plating process or by performing an immersion metal plating process.
(FR) L'invention concerne un procédé permettant de former simultanément une première électrode métallique sur une région du type n d'un substrat en silicium et une seconde électrode métallique sur une région du type p du substrat en silicium. Le procédé comprend la préparation d'un substrat en silicium comprenant une région du type n et une région du type p, la région du type n étant apparente au niveau d'une première surface de substrat dans une première zone et la région du type p étant apparente au niveau d'une seconde surface de substrat dans une seconde zone; le dépôt d'une couche de Ni initiale sur le substrat simultanément dans la première zone et dans la seconde zone par exécution d'un processus de dépôt de Ni par immersion; et le dépôt d'une couche de métal supplémentaire sur la couche de Ni initiale dans la première zone et dans la seconde zone par exécution d'un processus de dépôt autocatalytique de métal ou par exécution d'un processus de dépôt de métal par immersion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)