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1. (WO2016193209) PÂTE CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR LA FORMATION D'UNE ÉLECTRODE SUR UN ÉMETTEUR DU TYPE P SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE BASE DU TYPE N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/193209    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/062161
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 30.05.2016
CIB :
H01B 1/16 (2006.01), H01B 1/22 (2006.01), C03C 3/102 (2006.01), C03C 4/14 (2006.01)
Déposants : BASF SE [DE/DE]; Carl-Bosch-Str. 38 67056 Ludwigshafen am Rhein (DE)
Inventeurs : PRUNCHAK, Robert; (US).
PAN, Han Chang; (TW).
TAEN, Wouter Virgilius Joseph; (CN).
YOUNG, Richard John Sheffield; (GB)
Mandataire : KUDLA, Karsten; (DE)
Données relatives à la priorité :
62/169,612 02.06.2015 US
Titre (EN) CONDUCTIVE PASTE AND PROCESS FOR FORMING AN ELECTRODE ON A P-TYPE EMITTER ON AN N-TYPE BASE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PÂTE CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR LA FORMATION D'UNE ÉLECTRODE SUR UN ÉMETTEUR DU TYPE P SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE BASE DU TYPE N
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a conductive paste for forming an electrode on a p-type emitter on a n- type base semiconductor substrate, the paste comprising - 30 to 99.5% by weight of an aluminum metal-free electrically conductive metal, - 0.1 to 15 % by weight of a lead-tellurium-oxide, the lead-tellurium-oxide comprising 5 to 95 mol% of lead oxide wherein the molar ratio of lead to tellurium in the lead-tellurium-oxide is between 95 to 5 and 5 to 95, or of a tungsten-tellurium-oxide, the tungsten-tellurium- oxide comprising 5 to 95 mol% of tungsten oxide wherein the molar ratio of tungsten to tellurium in the tungsten-tellurium-oxide is between 95 to 5 and 5 to 95, or of a molybdenum-tellurium-oxide, the molybdenum-tellurium-oxide comprising 5 to 95 mol% of molybdenum oxide wherein the molar ratio of molybdenum to tellurium in the molybdenum- tellurium-oxide is between 95 to 5 and 5 to 95, or of a zinc-tellurium-oxide, the zinc- tellurium-oxide comprising 5 to 95 mol% of zinc oxide wherein the molar ratio of zinc to tellurium in the zinc-tellurium-oxide is between 95 to 5 and 5 to 95, or any combination thereof - and a solvent, wherein the paste is free from particulate additions of Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, W, Re, Os, Ir, and Pt. The invention further relates to a process for producing electrodes on a semiconductor substrate comprising at least one p-type area and a device comprising a semiconductor substrate comprising at least one p-type area wherein one or more insulating layers are deposited on a surface of the p-type area of the semiconductor device.
(FR)L'invention concerne une pâte conductrice pour la formation d'une électrode sur un émetteur du type p sur un substrat semi-conducteur de base du type n, la pâte comprenant - de 30 à 99,5 % en poids d'un métal électroconducteur sans aluminium, - de 0,1 à 15 % en poids d'un oxyde de plomb-tellure, l'oxyde de plomb-tellure comprenant de 5 à 95 % en moles d'oxyde de plomb, le rapport molaire plomb sur tellure dans l'oxyde de plomb-tellure étant compris entre 95 : 5 et 5 : 95, ou d'un oxyde de tungstène-tellure, l'oxyde de tungstène-tellure comprenant de 5 à 95 % en moles d'oxyde de tungstène, le rapport molaire tungstène sur tellure dans l'oxyde de tungstène-tellure étant compris entre 95 : 5 et 5 : 95, ou d'un oxyde de molybdène-tellure, l'oxyde de molybdène-tellure comprenant de 5 à 95 % en moles d'oxyde de molybdène, le rapport molaire molybdène sur tellure dans l'oxyde de molybdène-tellure étant compris entre 95 : 5 et 5 : 95, ou d'un oxyde de zinc-tellure, l'oxyde de zinc-tellure comprenant de 5 à 95 % en moles d'oxyde de zinc, le rapport molaire zinc sur tellure dans l'oxyde de zinc-tellure étant compris entre 95 : 5 et 5 : 95, ou de n'importe quelle combinaison de ces oxydes, et - un solvant, la pâte étant exempte d'additions particulaires de Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, W, Re, Os, Ir, et Pt. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'électrodes sur un substrat semi-conducteur comprenant au moins une zone du type p et un dispositif comprenant un substrat semi-conducteur comprenant au moins une zone du type p, une ou plusieurs couches isolantes étant déposées sur une surface de la zone du type p du dispositif à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)