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1. (WO2016193209) PÂTE CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR LA FORMATION D'UNE ÉLECTRODE SUR UN ÉMETTEUR DU TYPE P SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE BASE DU TYPE N

Pub. No.:    WO/2016/193209    International Application No.:    PCT/EP2016/062161
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Tue May 31 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01B 1/16
H01B 1/22
C03C 3/102
C03C 4/14
Applicants: BASF SE
Inventors: PRUNCHAK, Robert
PAN, Han Chang
TAEN, Wouter Virgilius Joseph
YOUNG, Richard John Sheffield
Title: PÂTE CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR LA FORMATION D'UNE ÉLECTRODE SUR UN ÉMETTEUR DU TYPE P SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE BASE DU TYPE N
Abstract:
L'invention concerne une pâte conductrice pour la formation d'une électrode sur un émetteur du type p sur un substrat semi-conducteur de base du type n, la pâte comprenant - de 30 à 99,5 % en poids d'un métal électroconducteur sans aluminium, - de 0,1 à 15 % en poids d'un oxyde de plomb-tellure, l'oxyde de plomb-tellure comprenant de 5 à 95 % en moles d'oxyde de plomb, le rapport molaire plomb sur tellure dans l'oxyde de plomb-tellure étant compris entre 95 : 5 et 5 : 95, ou d'un oxyde de tungstène-tellure, l'oxyde de tungstène-tellure comprenant de 5 à 95 % en moles d'oxyde de tungstène, le rapport molaire tungstène sur tellure dans l'oxyde de tungstène-tellure étant compris entre 95 : 5 et 5 : 95, ou d'un oxyde de molybdène-tellure, l'oxyde de molybdène-tellure comprenant de 5 à 95 % en moles d'oxyde de molybdène, le rapport molaire molybdène sur tellure dans l'oxyde de molybdène-tellure étant compris entre 95 : 5 et 5 : 95, ou d'un oxyde de zinc-tellure, l'oxyde de zinc-tellure comprenant de 5 à 95 % en moles d'oxyde de zinc, le rapport molaire zinc sur tellure dans l'oxyde de zinc-tellure étant compris entre 95 : 5 et 5 : 95, ou de n'importe quelle combinaison de ces oxydes, et - un solvant, la pâte étant exempte d'additions particulaires de Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, W, Re, Os, Ir, et Pt. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'électrodes sur un substrat semi-conducteur comprenant au moins une zone du type p et un dispositif comprenant un substrat semi-conducteur comprenant au moins une zone du type p, une ou plusieurs couches isolantes étant déposées sur une surface de la zone du type p du dispositif à semi-conducteur.