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1. (WO2016193160) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COUVERCLE DE BOÎTIER, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/193160    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/062043
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 27.05.2016
CIB :
H01L 33/48 (2010.01), H01L 23/10 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : RUEGHEIMER, Tilman; (DE).
DACHS, Jürgen; (DE)
Mandataire : PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 108 494.5 29.05.2015 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES GEHÄUSEDECKELS, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A HOUSING COVER, METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COUVERCLE DE BOÎTIER, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäusedeckels umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Deckelrohlings mit einer an einer Unterseite ausgebildeten Montagefläche, zum Verbinden der Unterseite des Deckelrohlings mit einer Siliziumscheibe, zum Anlegen mindestens einer Öffnung in der Siliziumscheibe, um zumindest einen Teil der Montagefläche freizulegen, zum Anordnen einer Basis-Metallisierung auf dem freigelegten Teil der Montagefläche und zum Entfernen der Siliziumscheibe.
(EN)The invention relates to a method for producing a housing cover comprising steps for providing a cover blank having a mounting surface formed on a bottom side, for connecting the bottom side of the cover blank to a silicon wafer, for creating at least one opening in the silicon wafer in order to expose at least part of the mounting surface, for arranging a base metallization on the exposed part of the mounting surface, and for removing the silicon wafer.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’un couvercle de boîtier qui comprend les étapes consistant à produire un flan de couvercle pourvu d’une surface de montage formée sur un côté inférieur et destinée à relier le côté inférieur du flan de couvercle à une plaquette de silicium, ménager au moins une ouverture dans la plaquette de silicium pour exposer au moins une partie de la surface de montage, effectuer une métallisation de base sur la partie exposée de la surface de montage et retirer la plaquette de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)