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1. (WO2016193102) DIODE LASER SEMICONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DIODE LASER SEMICONDUCTRICE
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N° de publication : WO/2016/193102 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/061835
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 25.05.2016
CIB :
H01S 5/10 (2006.01) ,H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs : EBBECKE, Jens; DE
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2015 108 529.129.05.2015DE
Titre (EN) SEMI-CONDUCTOR LASER DIODE AND A METHOD FOR PRODUCING A SEMI-CONDUCTOR LASER DIODE
(FR) DIODE LASER SEMICONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DIODE LASER SEMICONDUCTRICE
(DE) HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a semi-conductor laser diode (10) comprising a semi-conductor layer sequence (1) with an active zone (4), wherein the semi-conductor layer sequence (1) is cylindrical, a cylinder axis (z) of said semi-conductor layer sequence (1) is perpendicular to a layer plane of the semi-conductor layer sequence (1), and the semi-conductor laser diode (10) emits a beam, generated during operation, perpendicularly to the cylinder axis (z) of the semi-conductor layer sequence (1).
(FR) Diode laser semiconductrice (10) comportant une succession de couches semiconductrices (1) comprenant une zone active (4). Selon l'invention, la succession de couches semiconductrices (1) est de forme cylindrique, un axe (z) du cylindre formé par la succession de couches semiconductrices (1) est perpendiculaire à un plan des couches de la succession de couches semiconductrices (1), et la diode laser semiconductrice (10) émet un rayonnement généré en fonctionnement, qui est perpendiculaire à l'axe de cylindre (z) de la succession de couches semiconductrices (1).
(DE) Es wird eine Halbleiterlaserdiode (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) umfassendeine aktive Zone (4) angegeben, wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) zylinderförmig ist, eine Zylinderachse (z) der Halbleiterschichtenfolge (1) senkrecht zu einer Schichtebene der Halbleiterschichtenfolge (1) ist, und die Halbleiterlaserdiode (10) eine im Betrieb erzeugte Strahlung senkrecht zur Zylinderachse (z) der Halbleiterschichtenfolge (1) emittiert.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)