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1. (WO2016193038) PROCÉDÉ DE CONNEXION ÉLECTRIQUE D'UN COMPOSANT AU MOYEN DE LA LIAISON GALVANIQUE D'UNE PIÈCE DE CONTACT À PORES OUVERTS, ET ENSEMBLE COMPOSANT CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/193038 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/061595
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 23.05.2016
CIB :
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/492 (2006.01) ,H01L 23/495 (2006.01) ,H01L 23/367 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
492
Embases ou plaques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
495
Cadres conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
367
Refroidissement facilité par la forme du dispositif
Déposants :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
Inventeurs :
STEGMEIER, Stefan; DE
BAUEREGGER, Hubert; DE
SOMMER, Volkmar; DE
Données relatives à la priorité :
10 2015 210 061.801.06.2015DE
Titre (EN) METHOD FOR ELECTRICALLY CONTACTING A COMPONENT BY MEANS OF GALVANIC CONNECTION OF AN OPEN-PORED CONTACT PIECE, AND CORRESPONDING COMPONENT MODULE
(FR) PROCÉDÉ DE CONNEXION ÉLECTRIQUE D'UN COMPOSANT AU MOYEN DE LA LIAISON GALVANIQUE D'UNE PIÈCE DE CONTACT À PORES OUVERTS, ET ENSEMBLE COMPOSANT CORRESPONDANT
(DE) VERFAHREN ZUR ELEKTRISCHEN KONTAKTIERUNG EINES BAUTEILS MITTELS GALVANISCHER ANBINDUNG EINES OFFENPORIGEN KONTAKTSTÜCKS UND ENTSPRECHENDES BAUTEILMODUL
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for electrically contacting a component (10) (for example a power component and/or a (semiconductor) component having at least one transistor, preferably an IGBT (insulated-gate bipolar transistor)) having at least one contact (40, 50), at least one open-pored contact piece (60, 70) is galvanically (electrochemically or free of external current) connected to at least one contact (40, 50). In this way, a component module is achieved. The contact (40, 50) is preferably a flat part or has a contact surface, the largest planar extent thereof being greater than an extension of the contact (40, 50) perpendicular to said contact surface. The temperature of the galvanic connection is at most 100 °C, preferably at most 60 °C, advantageously at most 20 °C and ideally at most 5 °C and/or deviates from the operating temperature of the component by at most 50 °C, preferably by at most 20 °C, in particular by at most 10 °C and ideally by at most 5 °C, preferably by at most 2 °C. The component (10) can be contacted by means of the contact piece (60, 70) with a further component, a current conductor and/or a substrate (90). Preferably, a component (10) having two contacts (40, 50) on opposite sides of the component (10) is used, wherein at least one open-pored contact piece (60, 70) is galvanically connected to each contact (40, 50).
(FR) L'invention concerne un procédé de connexion électrique d'un composant (10) (par ex. d'un composant de puissance et/ou d'un composant (à semi-conducteur) pourvu d'au moins un transistor IGBT (transistor bipolaire à porte isolée)), ledit composant comprenant de préférence au moins un contact (40, 50), selon lequel au moins une pièce de contact à pores ouverts (60, 70) est reliée galvaniquement (par électrochimie ou sans apport de courant extérieur) audit contact (40, 50). Un ensemble composant est ainsi formé. Le contact (40, 50) est de préférence une pièce plate ou présente une surface de contact dont la plus grande étendue plane est supérieure à une étendue du contact (40, 50) perpendiculairement à cette surface de contact. La température de la liaison galvanique est au maximum de 100 °C, de préférence au maximum de 60 °C, pertinemment au maximum de 20 °C et idéalement au maximum de 5 °C et/ou dévie de la température de fonctionnement du composant de 50 °C au maximum, de préférence de 20 °C au maximum, en particulier de 10 °C au maximum et idéalement de 5 °C au maximum, préférablement de 2 °C au maximum. Ledit composant (10) peut être connecté au moyen de la pièce de contact (60, 70) avec un autre composant, conducteur électrique et/ou substrat (90). De préférence, un composant (10) présente deux contacts (40, 50) sur les faces opposées l'une à l'autre dudit composant (10), au moins une pièce de contact (40, 50) à pores ouverts étant reliée galvaniquement à chaque contact (40, 50).
(DE) Bei einem Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils (10) (z.B. eines Leistungsbauteils und/oder eines (Halbleiter)Bauteils mit mindestens einem Transistor, vorzugsweise einem IGBT (eng. insulated-gate bipolar transistor)) mit zumindest einem Kontakt (40, 50) wird an den zumindest einen Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) galvanisch (elektrochemisch oder außenstromfrei) angebunden. Damit wird ein Bauteilmodul gebildet. Der Kontakt (40, 50) ist vorzugsweise ein Flachteil bzw. weist eine Kontaktfläche auf, deren größte flächige Erstreckung größer ist als eine Erstreckung des Kontakts (40, 50) senkrecht zu dieser Kontaktfläche. Die Temperatur der galvanischen Anbindung beträgt höchstens 100 °C, vorzugsweise höchstens 60 °C, zweckmäßig höchstens 20 °C und idealerweise höchstens 5 °C und/oder weicht von der Betriebstemperatur des Bauteils um höchstens 50 °C, vorzugsweise um höchstens 20 °C, insbesondere um höchstens 10 °C und idealerweise um höchstens 5 °C, vorzugsweise höchstens 2 °C, ab. Das Bauteil (10) kann mittels des Kontaktstücks (60, 70) mit einem weiteren Bauteil, Stromleiter und/oder Substrat (90) kontaktiert werden. Vorzugsweise wird ein Bauteil (10) mit zwei Kontakten (40, 50) an einander abgewandten Seiten des Bauteils (10) herangezogen, wobei je Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) an dieser galvanisch angebunden wird.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)