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1. (WO2016192372) STRUCTURE D'INTÉGRATION DE CAPTEUR DE PRESSION MEMS ET DE CAPTEUR INERTIEL MEMS

Pub. No.:    WO/2016/192372    International Application No.:    PCT/CN2015/097314
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Tue Dec 15 00:59:59 CET 2015
IPC: B81C 1/00
B81B 7/00
Applicants: GOERTEK. INC
歌尔声学股份有限公司
Inventors: ZHENG, Guoguang
郑国光
Title: STRUCTURE D'INTÉGRATION DE CAPTEUR DE PRESSION MEMS ET DE CAPTEUR INERTIEL MEMS
Abstract:
La présente invention concerne une structure d'intégration de capteur de pression MEMS et de capteur inertiel MEMS. Une première électrode inférieure (3a) et une première électrode supérieure (4a) forment un condensateur sensible à la pression d'air, une seconde électrode inférieure (3b) et une seconde électrode supérieure (4b) forment un condensateur de référence, une structure sensible à l'inertie (4c) et une plaque d'électrode fixe forment un condensateur de détection d'inertie, et un corps de couvercle (8) met sous boîtier le condensateur de détection d'inertie sur un substrat. Au moyen de cette structure d'intégration, un capteur inertiel MEMS et un capteur de pression MEMS sont intégrés sur un même substrat, et la mise sous boîtier d'une puce entière peut être achevée par le biais d'une mise sous boîtier en une étape, ce qui permet de réduire le coût de mise sous boîtier des puces.