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1. (WO2016192372) STRUCTURE D'INTÉGRATION DE CAPTEUR DE PRESSION MEMS ET DE CAPTEUR INERTIEL MEMS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/192372    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/097314
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 14.12.2015
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), B81B 7/00 (2006.01)
Déposants : GOERTEK. INC [CN/CN]; 268 Dongfang Road, Hi-Tech Industry District Weifang, Shandong 261031 (CN)
Inventeurs : ZHENG, Guoguang; (CN)
Mandataire : BEYOND TALENT PATENT AGENT FIRM; Room 1202, Kuntai Building #10 Chaoyangmenwai Str., Chaoyang District Beijing 100020 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510288750.8 29.05.2015 CN
Titre (EN) MEMS PRESSURE SENSOR AND MEMS INERTIAL SENSOR INTEGRATION STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'INTÉGRATION DE CAPTEUR DE PRESSION MEMS ET DE CAPTEUR INERTIEL MEMS
(ZH) MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构
Abrégé : front page image
(EN)An MEMS pressure sensor and an MEMS inertial sensor integration structure. A first lower electrode (3a) and a first upper electrode (4a) form an air pressure sensitive capacitor, a second lower electrode (3b) and a second upper electrode (4b) form a reference capacitor, an inertia sensitive structure (4c) and a fixed electrode plate form an inertia detection capacitor, and a cover body (8) packages the inertia detection capacitor on a substrate. By means of the integration structure, an MEMS inertial sensor and an MEMS pressure sensor are integrated on a same substrate, and packaging of a whole chip can be completed through one-step packaging, thereby reducing the cost of chip packaging.
(FR)La présente invention concerne une structure d'intégration de capteur de pression MEMS et de capteur inertiel MEMS. Une première électrode inférieure (3a) et une première électrode supérieure (4a) forment un condensateur sensible à la pression d'air, une seconde électrode inférieure (3b) et une seconde électrode supérieure (4b) forment un condensateur de référence, une structure sensible à l'inertie (4c) et une plaque d'électrode fixe forment un condensateur de détection d'inertie, et un corps de couvercle (8) met sous boîtier le condensateur de détection d'inertie sur un substrat. Au moyen de cette structure d'intégration, un capteur inertiel MEMS et un capteur de pression MEMS sont intégrés sur un même substrat, et la mise sous boîtier d'une puce entière peut être achevée par le biais d'une mise sous boîtier en une étape, ce qui permet de réduire le coût de mise sous boîtier des puces.
(ZH)一种MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构,第一下电极(3a)与第一上电极(4a)构成气压敏感型电容器,第二下电极(3b)与第二上电极(4b)构成基准电容器,惯性敏感结构(4c)与固定极板构成惯性检测电容器,盖体(8)将惯性检测电容器封装在衬底上。该集成结构,将MEMS惯性传感器和MEMS压力传感器集成在同一衬底上,通过一次封装,即可完成整个芯片的封装,降低了芯片封装的成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)