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1. (WO2016192364) PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR ÉLECTRODE À FENTE, ÉLECTRODE À FENTE, ET PANNEAU D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/192364    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/097002
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 10.12.2015
CIB :
G03F 7/00 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xihuanzhonglu, BDA Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : AN, Yang; (CN).
PENG, Zhilong; (CN).
DAI, Wukun; (CN)
Mandataire : DRAGON INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 10F, Bldg. 2, Maples International Center No. 32 Xizhimen North Street, Haidian District Beijing 100082 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510300844.2 03.06.2015 CN
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR SLIT ELECTRODE, SLIT ELECTRODE AND DISPLAY PANEL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR ÉLECTRODE À FENTE, ÉLECTRODE À FENTE, ET PANNEAU D'AFFICHAGE
(ZH) 狭缝电极的制造方法、狭缝电极及显示面板
Abrégé : front page image
(EN)A production method for a slit electrode, a slit electrode and a display panel. The production method comprises: forming a first photoresist pattern (50) on a passivation layer (30), wherein the shape of the first photoresist pattern (50) corresponds to the shape of a slit of a slit electrode; forming a slit electrode pattern (100) on the passivation layer (30) where the first photoresist pattern (50) is formed, wherein the slit electrode pattern (100) is covered with a second photoresist pattern (90), and the shape of the second photoresist pattern (90) corresponds to the shape of the slit electrode; and stripping the first photoresist pattern (50) and the second photoresist pattern (90).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une électrode à fente, une électrode à fente et un panneau d'affichage. Le procédé de production consiste : à former un premier motif de résine photosensible (50) sur une couche de passivation (30), la forme du premier motif de résine photosensible (50) correspondant à la forme d'une fente d'une électrode à fente ; à former un motif d'électrode à fente (100) sur la couche de passivation (30) où le premier motif de résine photosensible (50) est formé, le motif d'électrode à fente (100) étant recouvert d'un second motif de résine photosensible (90), et la forme du second motif de résine photosensible (90) correspondant à la forme de l'électrode à fente ; et à enlever le premier motif de résine photosensible (50) et le second motif de résine photosensible (90).
(ZH)一种狭缝电极的制造方法、狭缝电极及显示面板。该制造方法包括,在钝化层(30)上形成第一光刻胶图案(50),第一光刻胶图案(50)的形状与狭缝电极的狭缝的形状相对应;在形成有第一光刻胶图案(50)的钝化层(30)上形成狭缝电极图案(100),狭缝电极图案(100)上覆盖有第二光刻胶图案(90),第二光刻胶图案(90)的形状与狭缝电极的形状相对应;对第一光刻胶图案(50)和第二光刻胶图案(90)进行剥离。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)