Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2016192046) CIRCUIT DE TRAITEMENT DE SIGNAL

Pub. No.:    WO/2016/192046    International Application No.:    PCT/CN2015/080610
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed Jun 03 01:59:59 CEST 2015
IPC: G11C 13/00
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
华为技术有限公司
Inventors: ZHANG, Yide
张以德
ZENG, Zhigang
曾志刚
ZHU, Yidong
朱一东
CAO, Mingfu
曹明富
ZHAO, Junfeng
赵俊峰
Title: CIRCUIT DE TRAITEMENT DE SIGNAL
Abstract:
L’invention concerne un circuit (100). Une première extrémité (108) d’une mémoire vive résistive (102) constituée par le circuit (100) est une première extrémité du circuit (100). Une deuxième extrémité (116) de la mémoire vive résistive (102) est reliée à une première extrémité (118) d’un premier dispositif de commutation (104) et à une première extrémité (120) d’un deuxième dispositif de commutation (106) séparément, une tension de seuil de la mémoire vive résistive (102) étant appelée U. Une deuxième extrémité (112) du premier dispositif de commutation (104) est une deuxième extrémité du circuit. Une deuxième extrémité du deuxième dispositif de commutation (106) est une troisième extrémité (110) du circuit. Le premier dispositif de commutation (104) comprend en outre une première extrémité de commande (114). Le deuxième dispositif de commutation (106) comprend en outre une deuxième extrémité de commande (122). La première extrémité de commande (114) et la deuxième extrémité de commande (122) sont configurées pour arrêter le deuxième dispositif de commutation (106) lorsque le premier dispositif de commutation (104) est mis en marche, ou mettre en marche le deuxième dispositif de commutation (106) lorsque le premier dispositif de commutation (104) est arrêté. L’état de fonctionnement de la mémoire vive résistive (102) peut être commandé de manière flexible.