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1. (WO2016192046) CIRCUIT DE TRAITEMENT DE SIGNAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/192046 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/080610
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 02.06.2015
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs : ZHANG, Yide; CN
ZENG, Zhigang; CN
ZHU, Yidong; CN
CAO, Mingfu; CN
ZHAO, Junfeng; CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SIGNAL PROCESSING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE TRAITEMENT DE SIGNAL
(ZH) 一种信号处理电路
Abrégé : front page image
(EN) A circuit (100). A first end (108) of a resistive random access memory (102) comprised by the circuit (100) is a first end of the circuit (100). A second end (116) of the resistive random access memory (102) is connected to a first end (118) of a first switching device (104) and a first end (120) of a second switching device (106) separately, wherein a threshold voltage of the resistive random access memory (102) is U. A second end (112) of the first switching device (104) is a second end of the circuit. A second end of the second switching device (106) is a third end (110) of the circuit. The first switching device (104) further comprises a first control end (114). The second switching device (106) further comprises a second control end (122). The first control end (114) and the second control end (122) are configured to turn off the second switching device (106) when the first switching device (104) is turned on, or turn on the second switching device (106) when the first switching device (104) is turned off. The working state of the resistive random access memory (102) can be flexibly controlled.
(FR) L’invention concerne un circuit (100). Une première extrémité (108) d’une mémoire vive résistive (102) constituée par le circuit (100) est une première extrémité du circuit (100). Une deuxième extrémité (116) de la mémoire vive résistive (102) est reliée à une première extrémité (118) d’un premier dispositif de commutation (104) et à une première extrémité (120) d’un deuxième dispositif de commutation (106) séparément, une tension de seuil de la mémoire vive résistive (102) étant appelée U. Une deuxième extrémité (112) du premier dispositif de commutation (104) est une deuxième extrémité du circuit. Une deuxième extrémité du deuxième dispositif de commutation (106) est une troisième extrémité (110) du circuit. Le premier dispositif de commutation (104) comprend en outre une première extrémité de commande (114). Le deuxième dispositif de commutation (106) comprend en outre une deuxième extrémité de commande (122). La première extrémité de commande (114) et la deuxième extrémité de commande (122) sont configurées pour arrêter le deuxième dispositif de commutation (106) lorsque le premier dispositif de commutation (104) est mis en marche, ou mettre en marche le deuxième dispositif de commutation (106) lorsque le premier dispositif de commutation (104) est arrêté. L’état de fonctionnement de la mémoire vive résistive (102) peut être commandé de manière flexible.
(ZH) 一种电路(100),其包括的阻变存储器(102)的第一端(108)为电路(100)的第一端,阻变存储器的第二端(116)分别连接到第一开关器件(104)的第一端(118)与第二开关器件(106)的第一端(120),其中,阻变存储器(102)的阈值电压为U;第一开关器件(104)的第二端(112)为电路的第二端;第二开关器件(106)的第二端为电路的第三端(110);第一开关器件(104)还包括第一控制端(114),第二开关器件(106)还包括第二控制端(122),第一控制端(114)和所述第二控制端(122)用于在导通第一开关器件(104)时断开第二开关器件(106),或者在断开第一开关器件(104)时导通第二开关器件(106),实现了灵活控制阻变存储器(102)的工作状态。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)