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1. (WO2016191998) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE NANOMATÉRIAUX À BASE DE CHALCOGÉNURE MÉTALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/191998 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/080452
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 01.06.2015
CIB :
C01B 17/20 (2006.01) ,C01B 19/04 (2006.01) ,C01G 3/00 (2006.01) ,C01G 5/00 (2006.01) ,C01G 21/21 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
17
Soufre; Ses composés
20
Méthodes pour préparer les sulfures ou les polysulfures en général
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
19
Sélénium; Tellure; Leurs composés
04
Composés binaires
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
3
Composés du cuivre
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
5
Composés de l'argent
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
21
Composés du plomb
21
Sulfures
Déposants :
BAOSHAN IRON & STEEL CO., LTD. [CN/CN]; No.885, Fujin Road, Baoshan District Shanghai 201900, CN
Inventeurs :
LI, Zhen; AU
CHEN, Xinqi; AU
DOU, Shixue; AU
Mandataire :
SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF PREPARING METAL CHALCOGENIDE NANOMATERIALS
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE NANOMATÉRIAUX À BASE DE CHALCOGÉNURE MÉTALLIQUE
Abrégé :
(EN) Disclosed are chalcogenide nanomaterials, preferably metal chalcogenide nanomaterials, for example, copper, lead and/or silver chalcogenide nanomaterials. Also provided is a method or process of synthesizing or preparing a chalcogenide nanomaterial, preferably a metal chalcogenide nanomaterial. In an example, a wet-chemical method is used to prepare metal chalcogenide nanomaterials, preferably in a solvent and in the presence of one or more organic ligands. Another example method involves producing metal chalcogenide nanomaterial and includes the steps of forming a mixture of a metal precursor, a chalcogen-based ligand, a solvent and a chalcogen precursor, heating the mixture at a reaction temperature for a duration of reaction time, and separating a produced metal chalcogenide nanomaterial.
(FR) L'invention concerne des nanomatériaux à base de chalcogénure, de préférence des nanomatériaux à base de chalcogénure métallique, par exemple des nanomatériaux à base de chalcogénure de cuivre, de plomb et/ou d'argent. L'invention concerne également un procédé ou un processus de synthèse ou de préparation d'un nanomatériau à base de chalcogénure, de préférence d'un nanomatériau à base de chalcogénure métallique. Dans un exemple, un procédé chimique par voie humide est utilisé pour préparer des nanomatériaux à base de chalcogénure métallique, de préférence dans un solvant et en présence d'un ou de plusieurs ligands organiques. Un autre exemple de procédé implique la production d'un nanomatériau à base de chalcogénure métallique et comprend les étapes consistant à former un mélange constitué d'un précurseur métallique, d'un ligand à base de chalcogène, d'un solvant et d'un précurseur de chalcogène, à chauffer le mélange à une température de réaction pendant une durée correspondant au temps de réaction, et à séparer un nanomatériau à base de chalcogénure métallique ainsi produit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)