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1. (WO2016191830) STRUCTURE DE MÉMOIRE À UTILISER DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE ET PROCÉDÉ À UTILISER DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIF DE STOCKAGE DE DONNÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/191830 N° de la demande internationale : PCT/AU2016/050455
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
Déposants :
AUSTRALIAN ADVANCED MATERIALS PTY LTD [AU/AU]; PO Box 1625 Subiaco, Western Australia 6904, AU
Inventeurs :
CHU, Dewei; AU
LI, Sean Suixiang; AU
Mandataire :
GRIFFITH HACK; Level 29 Northpoint 100 Miller Street North Sydney, New South Wales 2060, AU
Données relatives à la priorité :
201590210905.06.2015AU
201590341324.08.2015AU
201690196724.05.2016AU
Titre (EN) A MEMORY STRUCTURE FOR USE IN RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES AND METHOD FOR USE IN MANUFACTURING A DATA STORAGE DEVICE
(FR) STRUCTURE DE MÉMOIRE À UTILISER DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE ET PROCÉDÉ À UTILISER DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIF DE STOCKAGE DE DONNÉES
Abrégé :
(EN) A memory structure for use in a memory device comprising at least one first layer and at least one second layer: the at least one first layer comprises a plurality of a first element, and the at least one second layer comprises a plurality of a second element; and, wherein the memory structure has an electrical resistive state that can be changed in response to an electromotive force being applied thereto.
(FR) L'invention concerne une structure de mémoire destinée à être utilisée dans un dispositif de mémoire comprenant au moins une première couche et au moins une seconde couche : la ou les premières couches comprennent une pluralité d'un premier élément, et la ou les secondes couches comprennent une pluralité d'un second élément, la structure de mémoire ayant un état résistif électrique qui peut être changé en réponse à une force électromotrice appliquée à celle-ci.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)