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1. (WO2016191707) TRANSDUCTEURS DE CHAMP PROCHE (NFTS) EN PLUSIEURS PIÈCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/191707    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/034709
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 27.05.2016
CIB :
G11B 5/60 (2006.01), G11B 5/31 (2006.01), G11B 5/00 (2006.01)
Déposants : SEAGATE TECHNOLOGY LLC [US/US]; 10200 South Deanza Boulevard Cupertino, CA 95014 (US)
Inventeurs : BLABER, Martin; (US).
ZHAO, Tong; (US).
BRONS, Justin; (US).
KAUTZKY, Michael; (US)
Mandataire : PRIBNOW, Scott; (US)
Données relatives à la priorité :
62/167,316 28.05.2015 US
Titre (EN) MULTIPIECE NEAR FIELD TRANSDUCERS (NFTS)
(FR) TRANSDUCTEURS DE CHAMP PROCHE (NFTS) EN PLUSIEURS PIÈCES
Abrégé : front page image
(EN)Devices having air bearing surfaces (ABS), the devices including a near field transducer (NFT) that includes a disc configured to convert photons incident thereon into plasmons; and a peg configured to couple plasmons coupled from the disc into an adjacent magnetic storage medium, wherein at least one of a portion of the peg, a portion of the disc, or a portion of both the peg and the disc include a multilayer structure including at least two layers including at least one layer of a first material and at least one layer of a second material, wherein the first material and the second material are not the same and wherein the first and the second materials independently include aluminum (Al), antimony (Sb), bismuth (Bi), boron (B), barium (Ba), calcium (Ca), cerium (Ce), chromium (Cr), cobalt (Co), copper (Cu), erbium (Er), gadolinium (Gd), gallium (Ga), germanium (Ge), gold (Au), hafnium (Hf), indium (In), iridium (Ir), iron (Fe), lanthanum (La), magnesium (Mg), manganese (Mn), molybdenum (Mo), nickel (Ni), niobium (Nb), osmium (Os), palladium (Pd), platinum (Pt), rhenium (Re), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), scandium (Sc), silicon (Si), silver (Ag), strontium (Sr), tantalum (Ta), thorium (Th), tin (Sn), titanium (Ti), vanadium (V), tungsten (W), ytterbium (Yb), yttrium (Y), zirconium (Zr), or combinations thereof.
(FR)L'invention concerne des dispositifs ayant des surfaces de palier à air (ABS), les dispositifs comprenant un transducteur de champ proche (NFT) qui comprend un disque conçu pour convertir des photons incidents sur ce dernier en plasmons ; et une cheville conçue pour accoupler des plasmons accouplés à partir du disque dans un support de stockage magnétique adjacent, au moins une d'une partie de la cheville, d'une partie du disque ou d'une partie de la cheville et du disque comprenant une structure multicouche comprenant au moins deux couches comprenant au moins une couche d'un premier matériau et au moins une couche d'un second matériau, le premier matériau et le second matériau n'étant pas les mêmes, et les premier et second matériaux comprenant de manière indépendante l'aluminium (Al), l'antimoine (Sb), le bismuth (Bi), le bore (B), le baryum (Ba), le calcium (Ca), le cérium (Ce), le chrome (Cr), le cobalt (Co), le cuivre (Cu), l'erbium (Er), le gadolinium (Gd), le gallium (Ga), le germanium (Ge), l'or (Au), l'hafnium (Hf), l'indium (In), l'iridium (Ir), le fer (Fe), le lanthane (La), le magnésium (Mg), le manganèse (Mn), le molybdène (Mo), le nickel (Ni), le niobium (Nb), l'osmium (Os), le palladium (Pd), le platine (Pt), le rhénium (Re), le rhodium (Rh), le ruthénium (Ru), le scandium (Sc), le silicium (Si), l'argent (Ag), le strontium (Sr), le tantale (Ta), le thorium (Th), l'étain (Sn), le titane (Ti), le vanadium (V), le tungstène (W), l'ytterbium (Yb), l'yttrium (Y), le zirconium (Zr) ou des combinaisons de ces derniers.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)