Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2016191407) PROCÉDÉ DE FORMATION SÉLECTIVE DE CHAPEAUX DE NITRURE SUR DES GRILLES MÉTALLIQUES, ET CONTACT AUTO-ALIGNÉ COMPRENANT LES CHAPEAUX DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/191407 N° de la demande internationale : PCT/US2016/033876
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 24.05.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 22.03.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417
transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
BAO, Junjing; US
YANG, Haining; US
LIU, Yanxiang; US
XU, Jeffrey Junhao; US
Mandataire :
CICCOZZI, John L.; US
Données relatives à la priorité :
14/723,19927.05.2015US
Titre (EN) METHOD FOR SELECTIVELY FORMING NITRIDE CAPS ON METAL GATES AND SELF-ALGINED CONTACT COMPRISING THE NITRIDE CAPS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION SÉLECTIVE DE CHAPEAUX DE NITRURE SUR DES GRILLES MÉTALLIQUES, ET CONTACT AUTO-ALIGNÉ COMPRENANT LES CHAPEAUX DE NITRURE
Abrégé :
(EN) A sacrificial cap is grown on an upper surface of a conductor. A dielectric spacer is against a side of the conductor. An upper dielectric side spacer is formed on a sidewall of the sacrificial cap. The sacrificial cap is selectively etched, leaving a cap recess, and the upper dielectric side spacer facing the cap recess. Silicon nitride is filled in the cap recess, to form a center cap and a protective cap having center cap and the upper dielectric spacer.
(FR) Selon la présente invention, un chapeau sacrificiel est fait croître sur une surface supérieure d'un conducteur. Un élément d'espacement diélectrique se trouve contre un côté du conducteur. Un élément d'espacement latéral diélectrique supérieur est formé sur une paroi latérale du chapeau sacrificiel. Le chapeau sacrificiel est gravé d'une manière sélective, laissant un renfoncement de chapeau, et l'élément d'espacement latéral diélectrique supérieur en regard du renfoncement de chapeau. Le renfoncement de chapeau est rempli avec du nitrure de silicium, de façon à former un chapeau central et un chapeau de protection comprenant le chapeau central et l'élément d'espacement diélectrique supérieur.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)