WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016191407) PROCÉDÉ DE FORMATION SÉLECTIVE DE CHAPEAUX DE NITRURE SUR DES GRILLES MÉTALLIQUES, ET CONTACT AUTO-ALIGNÉ COMPRENANT LES CHAPEAUX DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/191407    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/033876
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 24.05.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.03.2017    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : BAO, Junjing; (US).
YANG, Haining; (US).
LIU, Yanxiang; (US).
XU, Jeffrey Junhao; (US)
Mandataire : CICCOZZI, John L.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/723,199 27.05.2015 US
Titre (EN) METHOD FOR SELECTIVELY FORMING NITRIDE CAPS ON METAL GATES AND SELF-ALGINED CONTACT COMPRISING THE NITRIDE CAPS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION SÉLECTIVE DE CHAPEAUX DE NITRURE SUR DES GRILLES MÉTALLIQUES, ET CONTACT AUTO-ALIGNÉ COMPRENANT LES CHAPEAUX DE NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)A sacrificial cap is grown on an upper surface of a conductor. A dielectric spacer is against a side of the conductor. An upper dielectric side spacer is formed on a sidewall of the sacrificial cap. The sacrificial cap is selectively etched, leaving a cap recess, and the upper dielectric side spacer facing the cap recess. Silicon nitride is filled in the cap recess, to form a center cap and a protective cap having center cap and the upper dielectric spacer.
(FR)Selon la présente invention, un chapeau sacrificiel est fait croître sur une surface supérieure d'un conducteur. Un élément d'espacement diélectrique se trouve contre un côté du conducteur. Un élément d'espacement latéral diélectrique supérieur est formé sur une paroi latérale du chapeau sacrificiel. Le chapeau sacrificiel est gravé d'une manière sélective, laissant un renfoncement de chapeau, et l'élément d'espacement latéral diélectrique supérieur en regard du renfoncement de chapeau. Le renfoncement de chapeau est rempli avec du nitrure de silicium, de façon à former un chapeau central et un chapeau de protection comprenant le chapeau central et l'élément d'espacement diélectrique supérieur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)