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1. (WO2016191371) PROCÉDÉS D'ÉLIMINATION DE NOYAUX FORMÉS PENDANT UNE CROISSANCE ÉPITAXIALE

Pub. No.:    WO/2016/191371    International Application No.:    PCT/US2016/033783
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Tue May 24 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/02
H01L 21/308
Applicants: STRATIO, INC.
STRATIO
Inventors: LEE, Jae Hyung
NA, Yeul
KIM, Youngsik
JUNG, Woo-shik
Title: PROCÉDÉS D'ÉLIMINATION DE NOYAUX FORMÉS PENDANT UNE CROISSANCE ÉPITAXIALE
Abstract:
L'invention concerne un procédé d'élimination de noyaux formés pendant un processus de croissance épitaxiale sélective, qui comprend la croissance épitaxiale d'un premier groupe d'une ou plusieurs structures semi-conductrices sur un substrat avec une ou plusieurs couches de masque. Un second groupe d'une pluralité de structures semi-conductrices est formé sur la ou les couches de masque. Le procédé comprend également la formation d'une ou plusieurs couches de protection sur le premier groupe d'une ou plusieurs structures semi-conductrices. Au moins un sous-ensemble du second groupe de la pluralité de structures semi-conductrices est découvert de la ou des couches de protection. Le procédé comprend en outre, après la formation de la ou des couches de protection sur le premier groupe d'une ou plusieurs structures semi-conductrices, la gravure au moins du sous-ensemble du second groupe de la pluralité de structures semi-conductrices.