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1. (WO2016191339) PROGRAMMATION À ÉTATS MULTIPLES POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/191339    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/033704
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 23.05.2016
CIB :
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/24 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : LI, Yen-Lung; (US).
CERNEA, Raul-Adrian; (US).
YUH, Jong Hak; (US).
TSENG, Tai-Yuan; (US)
Mandataire : MAGEN, BURT; Vierra Magen Marcus LLP 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, California 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
62/167,428 28.05.2015 US
14/929,156 30.10.2015 US
Titre (EN) MULTI-STATE PROGRAMMING FOR NON-VOLATILE MEMORY
(FR) PROGRAMMATION À ÉTATS MULTIPLES POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for programming a non-volatile memory. The method includes programming memory cells for even bit lines by programming the memory cells into a plurality of intermediate data states from an erased state, and for each of the intermediate data states, concurrently programming the memory cells to a plurality of target data states. The method also includes programming memory cells for odd bit lines by programming the memory cells into the plurality of intermediate data states from an erased state, and for each of the intermediate data states, concurrently programming the memory cells to the plurality of target data states. For each memory cell, the corresponding bit line is biased to a first bit line bias if the memory cell is to be inhibited from programming, and is biased to one of a plurality of programming bit line biases if the memory cell is to be programmed to a final state.
(FR)L'invention concerne un procédé pour programmer une mémoire non volatile. Le procédé consiste à programmer des cellules de mémoire pour des canaux bits pairs en programmant les cellules de mémoire dans une pluralité d'états de données intermédiaires à partir d'un état effacé, et pour chacun des états de données intermédiaires, programmer simultanément les cellules de mémoire dans une pluralité d'états de données cibles. Le procédé consiste aussi à programmer des cellules de mémoire pour des canaux bits impairs en programmant les cellules de mémoire dans la pluralité d'états de données intermédiaires à partir d'un état effacé, et pour chacun des états de données intermédiaires, programmer simultanément les cellules de mémoire dans la pluralité d'états de données cibles. Pour chaque cellule de mémoire, le canal bit correspondant est polarisé vers une première polarisation de canal bit si la cellule de mémoire doit être inhibée par la programmation, et est polarisé vers une polarisation d'une pluralité de polarisations de canal bit de programmation si la cellule de mémoire doit être programmée dans un état final.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)