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1. (WO2016191339) PROGRAMMATION À ÉTATS MULTIPLES POUR MÉMOIRE NON VOLATILE

Pub. No.:    WO/2016/191339    International Application No.:    PCT/US2016/033704
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Tue May 24 01:59:59 CEST 2016
IPC: G11C 11/56
G11C 16/04
G11C 16/10
G11C 16/24
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventors: LI, Yen-Lung
CERNEA, Raul-Adrian
YUH, Jong Hak
TSENG, Tai-Yuan
Title: PROGRAMMATION À ÉTATS MULTIPLES POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Abstract:
L'invention concerne un procédé pour programmer une mémoire non volatile. Le procédé consiste à programmer des cellules de mémoire pour des canaux bits pairs en programmant les cellules de mémoire dans une pluralité d'états de données intermédiaires à partir d'un état effacé, et pour chacun des états de données intermédiaires, programmer simultanément les cellules de mémoire dans une pluralité d'états de données cibles. Le procédé consiste aussi à programmer des cellules de mémoire pour des canaux bits impairs en programmant les cellules de mémoire dans la pluralité d'états de données intermédiaires à partir d'un état effacé, et pour chacun des états de données intermédiaires, programmer simultanément les cellules de mémoire dans la pluralité d'états de données cibles. Pour chaque cellule de mémoire, le canal bit correspondant est polarisé vers une première polarisation de canal bit si la cellule de mémoire doit être inhibée par la programmation, et est polarisé vers une polarisation d'une pluralité de polarisations de canal bit de programmation si la cellule de mémoire doit être programmée dans un état final.