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1. (WO2016191155) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHE DE PIÉGEAGE DE CHARGE À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ÉLEVÉE

Pub. No.:    WO/2016/191155    International Application No.:    PCT/US2016/032927
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed May 18 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/423
H01L 21/28
H01L 29/51
H01L 29/792
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventors: RABKIN, Peter
PACHAMUTHU, Jayavel
ALSMEIER, Johann
HIGASHITANI, Masaaki
Title: PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHE DE PIÉGEAGE DE CHARGE À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ÉLEVÉE
Abstract:
L'invention concerne un dispositif de stockage non volatile qui comprend des cellules de mémoire ayant une région de stockage de charge à constante diélectrique élevée, ainsi que des procédés de fabrication associés. La région de stockage de charge comprend au moins trois couches de matériaux diélectriques. Au moins une couche est un matériau à constante diélectrique élevée. La ou les couches à constante diélectrique élevée présente(nt) une densité de piège supérieure par rapport à S13N4. Des diélectriques à forte constante dans la région de stockage de charge améliorent le couplage capacitif avec le canal de cellule de mémoire, ce qui peut améliorer le courant de la cellule mémoire, la vitesse de programme, et la vitesse d'effacement. La région de stockage de charge présente un décalage de bande de conduction haute-basse-haute, ce qui peut améliorer une rétention de données. La région de stockage de charge présente un décalage de bande de valence basse-haute-basse, ce qui peut améliorer l'effacement.