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1. (WO2016190958) TOPOLOGIE DE DISTRIBUTION DE SIGNAL D'HORLOGE À COUPLAGE CROISÉ DANS DES CELLULES SÉQUENTIELLES À HAUTEURS MULTIPLES POUR MÉTALLISATION M1 UNIDIRECTIONNELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/190958 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025388
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 31.03.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 15.12.2016
CIB :
H01L 27/02 (2006.01) ,H01L 23/528 (2006.01) ,H01L 27/118 (2006.01) ,G06F 1/10 (2006.01) ,G06F 17/50 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528
Configuration de la structure d'interconnexion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
118
Circuits intégrés à tranche maîtresse
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
1
Détails non couverts par les groupes G06F3/-G06F13/89
04
Génération ou distribution de signaux d'horloge ou de signaux dérivés directement de ceux-ci
10
Répartition des signaux d'horloge
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
17
Equipement ou méthodes de traitement de données ou de calcul numérique, spécialement adaptés à des fonctions spécifiques
50
Conception assistée par ordinateur
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
GUPTA, Mukul; US
CHEN, Xiangdong; US
KWON, Ohsang; US
Mandataire :
GELFOUND, Craig A.; US
Données relatives à la priorité :
14/723,35727.05.2015US
Titre (EN) CROSS-COUPLED CLOCK SIGNAL DISTRIBUTION LAYOUT IN MULTI-HEIGHT SEQUENTIAL CELLS FOR UNI-DIRECTIONAL M1
(FR) TOPOLOGIE DE DISTRIBUTION DE SIGNAL D'HORLOGE À COUPLAGE CROISÉ DANS DES CELLULES SÉQUENTIELLES À HAUTEURS MULTIPLES POUR MÉTALLISATION M1 UNIDIRECTIONNELLE
Abrégé :
(EN) A MOS device includes first, second, third, and fourth interconnects. The first interconnect (402) extends on a first track in a first direction. The first interconnect is configured in a metal layer. The second interconnect (404) extends on the first track in the first direction. The second interconnect is configured in the metal layer. The third interconnect (408) extends on a second track in the first direction. The third interconnect is configured in the metal layer. The second track is parallel to the first track. The third interconnect is coupled to the second interconnect. The second and third interconnects (404. 408) are configured to provide a first signal (Clk). The fourth interconnect (410) extends on the second track in the first direction. The fourth interconnect is configured in the metal layer. The fourth interconnect is coupled to the first interconnect. The first and fourth interconnects (402, 410) are configured to provide a second signal (Clk) different than the first signal.
(FR) L'invention concerne un dispositif MOS qui comprend des première, deuxième, troisième et quatrième interconnexions. La première interconnexion (402) s'étend sur une première piste dans une première direction. La première interconnexion est configurée dans une couche métallique. La deuxième interconnexion (404) s'étend sur la première piste dans la première direction. La deuxième interconnexion est configurée dans la couche métallique. La troisième interconnexion (408) s'étend sur une deuxième piste dans la première direction. La troisième interconnexion est configurée dans la couche métallique. La deuxième piste est parallèle à la première piste. La troisième interconnexion est couplée à la deuxième interconnexion. Les deuxième et troisième interconnexions (404, 408) sont configurées pour fournir un premier signal (Clk). La quatrième interconnexion (410) s'étend sur la deuxième piste dans la première direction. La quatrième interconnexion est configurée dans la couche métallique. La quatrième interconnexion est couplée à la première interconnexion. Les première et quatrième interconnexions (402, 410) sont configurées pour fournir un deuxième signal (Clk) différent du premier signal.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)