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1. (WO2016190880) CELLULE DE MÉMOIRE À BASE DE MATÉRIAU FERROÉLECTRIQUE AVEC RÉTENTION NON VOLATILE

Pub. No.:    WO/2016/190880    International Application No.:    PCT/US2015/032943
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Fri May 29 01:59:59 CEST 2015
IPC: G11C 11/15
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: MORRIS, Daniel H.
AVCI, Uygar E.
YOUNG, Ian A.
Title: CELLULE DE MÉMOIRE À BASE DE MATÉRIAU FERROÉLECTRIQUE AVEC RÉTENTION NON VOLATILE
Abstract:
L'invention concerne un appareil qui comprend : un premier transistor d'accès pouvant être commandé par un canal mot d'écriture (WWL); un deuxième transistor d'accès pouvant être commandé par un canal mot de lecture (RWL); et une cellule ferroélectrique accouplée aux premier et deuxième transistors d'accès, où la cellule ferroélectrique peut être programmée par l'intermédiaire du WWL et lue par l'intermédiaire du RWL. L'invention concerne un procédé qui comprend les étapes suivantes : piloter un WWL, accouplé à une borne de grille d'un premier transistor d'accès, pour provoquer la fermeture du premier transistor d'accès; et piloter un WBL accouplé à une borne de source/drain du premier transistor d'accès, le WBL piloté servant à charger ou décharger un nœud de stockage accouplé au premier transistor d'accès lorsque le premier transistor d'accès est fermé, où la cellule ferroélectrique est accouplée au nœud de stockage et peut être programmée en fonction du nœud de stockage chargé ou déchargé.