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1. (WO2016190858) APPAREIL ET PROCÉDÉS DE CRÉATION D'UN CIRCUIT TAMPON QUI S'ÉTEND DANS UNE RÉGION COMMANDÉE PAR PORTE D'UN TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/190858    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/032612
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 27.05.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : MOHAPATRA, Chandra, S.; (US).
DEWEY, Gilbert; (US).
MURTHY, Anand, S.; (US).
GLASS, Glenn, A.; (US).
RACHMADY, Willy; (US).
KAVALIEROS, Jack, T.; (US).
GHANI, Tahir; (US).
METZ, Matthew, V.; (US)
Mandataire : WINKLE, Robert, G.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPARATUS AND METHODS TO CREATE A BUFFER WHICH EXTENDS INTO A GATED REGION OF A TRANSISTOR
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉS DE CRÉATION D'UN CIRCUIT TAMPON QUI S'ÉTEND DANS UNE RÉGION COMMANDÉE PAR PORTE D'UN TRANSISTOR
Abrégé : front page image
(EN)Transistor devices may be formed having a buffer between an active channel and a substrate, wherein the active channel and a portion of the buffer form a gated region. The active channel may comprise a low band-gap material on a sub-structure, e.g. the buffer, between the active channel and the substrate. The sub-structure may comprise a high band-gap material having a desired conduction band offset, such that leakage may be arrested without significant impact on electron mobility within the active channel. In an embodiment, the active channel and the sub-structure may be formed in a narrow trench, such that defects due to lattice mismatch between the active channel and the sub-structure are terminated in the sub-structure.
(FR)Des dispositifs de transistor peuvent être formés de manière à avoir un circuit tampon entre un canal actif et un substrat, lequel canal actif et une partie du circuit tampon forment une région commandée par porte. Le canal actif peut comprendre un matériau à bande interdite faible sur une sous-structure, par exemple le circuit tampon, entre le canal actif et le substrat. La sous-structure peut comprendre un matériau à bande interdite élevée ayant un décalage de bande de conduction voulu, de sorte que la fuite puisse être arrêtée sans impact significatif sur la mobilité des électrons à l'intérieur du canal actif. Selon un mode de réalisation, le canal actif et la sous-structure peuvent être formés dans une tranchée étroite, de sorte que les défauts dus à une discordance de treillis entre le canal actif et la sous-structure soient terminés dans la sous-structure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)