WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016190684) ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2016/190684 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/005588
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 26.05.2016
CIB :
H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION[KR/KR]; 1, Gwanak-ro Gwanak-gu, Seoul 08826, KR
Inventeurs : KIM, Ki-Bum; KR
KIM, Ki-Ju; KR
KIM, Min-Su; KR
Mandataire : C&S PATENT AND LAW OFFICE; 7th Floor, Daelim Acrotel 13 Eonju-ro 30-gil Gangnam-gu, Seoul 06292, KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-007283826.05.2015KR
Titre (EN) ELECTRONIC ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 전자 소자 및 그 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN) An electronic element and a manufacturing method therefor are provided. The method for manufacturing an electronic element, according to an embodiment of the present invention, comprises the steps of: forming a graphene layer on a catalytic metal layer; forming a stuffing layer covering at least a part of the graphene layer; forming a carrier layer on the graphene layer; removing the catalytic metal layer from the lower surface of the graphene layer; and transferring the graphene layer onto a substrate.
(FR) La présente invention concerne un élément électronique et son procédé de fabrication. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé de fabrication d'un élément électronique comprend les étapes suivantes: la formation d'une couche de graphène sur une couche métallique catalytique; la formation d'une couche de remplissage recouvrant au moins une partie de la couche de graphène; la formation d'une couche de support sur la couche de graphène; l'élimination de la couche métallique catalytique à partir de la surface inférieure de la couche de graphène; et le transfert de la couche de graphène sur un substrat.
(KO) 본 발명은 전자 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 전자 소자의 제조 방법은, 촉매 금속층 상에 그래핀층을 형성하는 단계, 그래핀층의 적어도 일부를 덮는 스터핑층을 형성하는 단계, 그래핀층 상에 캐리어층을 형성하는 단계, 그래핀층의 하면으로부터 촉매 금속층을 제거하는 단계, 및 그래핀층을 기판 상에 전사하는 단계를 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)