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1. (WO2016190664) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/190664 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/005540
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 25.05.2016
CIB :
H01L 33/36 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
Déposants :
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 LG서울역빌딩 17층 17th Floor, LG Seoulsationbuilding 98 Huam-ro, Jung-gu Seoul 04637, KR
Inventeurs :
박선우 PARK, Sun Woo; KR
성동현 SUNG, Dong Hyun; KR
이대희 LEE, Dae Hee; KR
이병우 LEE, Byoung Woo; KR
최광기 CHOI, Kwang Ki; KR
한재천 HAN, Jae Cheon; KR
Mandataire :
특허법인 다나 DANA PATENT LAW FIRM; 서울시 강남구 역삼로 3길 11 광성빌딩 신관 4~6층 4~6th Floor, New Wing, Gwangsung Bldg. 11, Yeoksam-ro 3-gil, Gangnam-gu Seoul 06242, KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-007310026.05.2015KR
Titre (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(KO) 발광소자
Abrégé :
(EN) Disclosed according to one embodiment is a light-emitting element comprising: a light-emitting structure comprising a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer; a second conductive layer electrically connected to the second semiconductor layer; a first conductive layer comprising a plurality of through electrodes electrically connected to the first semiconductor layer through the second conductive layer and the light-emitting structure; an insulation layer for electrically insulating the plurality of through electrodes from the active layer, the second semiconductor layer, and the second conductive layer; and an electrode pad disposed in an exposed area of the second conductive layer, wherein the plurality of through electrodes differ in the area of a first region electrically connected to the first semiconductor layer.
(FR) La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un élément électroluminescent comprenant : une structure électroluminescente comprenant une première couche semi-conductrice, une couche active, et une deuxième couche semi-conductrice; une deuxième couche conductrice électriquement connectée à la deuxième couche semi-conductrice; une première couche conductrice comprenant une pluralité d'électrodes traversantes électriquement connectées à la première couche semi-conductrice à travers la deuxième couche conductrice et la structure électroluminescente; une couche d'isolation pour l'isolation électrique de la pluralité d'électrodes traversantes de la couche active, de la deuxième couche semi-conductrice, et de la deuxième couche conductrice; et une pastille d'électrode disposée dans une zone découverte de la deuxième couche conductrice, la pluralité d'électrodes traversantes différant dans l'aire d'une première zone électriquement connectée à la première couche semi-conductrice.
(KO) 실시 예는, 제1반도체층, 활성층, 및 제2반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2도전층; 상기 제2도전층 및 상기 발광 구조물을 관통하여 상기 제1반도체층과 전기적으로 연결되는 복수 개의 관통전극을 포함하는 제1도전층; 상기 복수 개의 관통전극을 상기 활성층, 상기 제2반도체층, 및 상기 제2도전층과 전기적으로 절연하는 절연층; 및 상기 제2도전층이 노출된 영역에 배치되는 전극패드를 포함하고, 상기 복수 개의 관통전극은 상기 제1반도체층과 전기적으로 연결되는 제1영역의 면적이 상이한 발광소자를 개시한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)