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1. (WO2016190569) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À HAUT RENDEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/190569 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/004843
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 10.05.2016
CIB :
H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
40
Matériaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
10
ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46
Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
Déposants :
SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 15429, KR
Inventeurs :
KIM, Tae Gyun; KR
LEE, Joon Hee; KR
KIM, Ki Hyun; KR
SON, Sung Su; KR
Mandataire :
AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239, KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-007190622.05.2015KR
10-2016-004832720.04.2016KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE WITH HIGH EFFICIENCY
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À HAUT RENDEMENT
Abrégé :
(EN) A light emitting diode includes: a light emitting structure including a second semiconductor layer and a first semiconductor layer; a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer; a current blocking layer disposed on a lower surface of the light emitting structure; and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the second electrode includes a first reflective metal layer adjoining the second semiconductor layer and a second reflective metal layer covering a lower surface of the current blocking layer and a lower surface of the first reflective metal layer while adjoining a portion of the second semiconductor layer, and wherein contact resistance between the second reflective metal layer and the second semiconductor layer is higher than contact resistance between the first reflective metal layer and the second semiconductor layer.
(FR) L'invention porte sur une diode électroluminescente qui comprend : une structure électroluminescente comprenant une seconde couche semi-conductrice et une première couche semi-conductrice ; une première électrode connectée électriquement à la première couche semi-conductrice ; une couche de blocage de courant disposée sur une surface inférieure de la structure électroluminescente ; et une seconde électrode connectée électriquement à la seconde couche semi-conductrice, la seconde électrode comprenant une première couche métallique réfléchissante attenante à la seconde couche semi-conductrice et une seconde couche métallique réfléchissante recouvrant une surface inférieure de la couche de blocage de courant et une surface inférieure de la première couche métallique réfléchissante tout en étant attenante à une partie de la seconde couche semi-conductrice, et la résistance de contact entre la seconde couche métallique réfléchissante et la seconde couche semi-conductrice étant supérieure à la résistance de contact entre la première couche métallique réfléchissante et la seconde couche semi-conductrice.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)