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1. (WO2016190540) OSCILLATEUR À CRISTAL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/190540 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/003744
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 08.04.2016
CIB :
H03H 3/02 (2006.01) ,H03H 9/19 (2006.01) ,H01L 41/22 (2006.01) ,H01L 41/18 (2006.01) ,H01L 41/41 (2013.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
02
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
15
Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
17
ayant un résonateur unique
19
en quartz
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
35
Formation de matériaux piézo-électriques ou électrostrictifs
39
Matériaux inorganiques
41
par fusion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314
par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
316
par dépôt en phase vapeur
Déposants :
(주)파트론 PARTRON CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 화성시 삼성1로2길22 (석우동) (Seoku-dong) 22 Samsung 1-ro 2-gil Hwaseong-si Gyeonggi-do 18449, KR
Inventeurs :
윤금영 YUN, Gum Young; KR
Mandataire :
최학현 CHOI, Hak Hyun; KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-007365227.05.2015KR
Titre (EN) CRYSTAL OSCILLATOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) OSCILLATEUR À CRISTAL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(KO) 수정진동자 및 그 제조 방법
Abrégé :
(EN) A crystal oscillator and a production method therefor are disclosed. The present invention relates to a crystal oscillator and a production method therefor, the method comprising the steps of: preparing a base structure having an electrode; applying a liquid resin material, which has a first metal filler and a second metal filler evenly dispersed therein, onto the surface of the electrode; coupling a crystal piece to the resin material; heat-treating the resin material at a temperature lower than the melting points of a metal, which forms the electrode, and the first metal filler and higher than the melting point of the second metal filler; and coupling a cover to the base structure so as to form an inner space for accommodating the crystal piece.
(FR) L’invention concerne un oscillateur à cristal et son procédé de production. La présente invention porte sur un oscillateur à cristal et son procédé de production, les étapes du procédé consistant : à préparer une structure de base comportant une électrode ; à appliquer un matériau de résine liquide, dans lequel sont dispersées uniformément une première charge de métal et une deuxième charge de métal, sur la surface de l’électrode ; à coupler une pièce de cristal au matériau de résine ; à traiter thermiquement le matériau de résine à une température inférieure aux points de fusion d’un métal, lequel forme l’électrode, et de la première charge de métal et supérieure au point de fusion de la deuxième charge de métal ; et à coupler un couvercle à la structure de base afin de former un espace intérieur pour le logement de la pièce de cristal.
(KO) 수정진동자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 수정진동자 및 그 제조 방법은 전극이 형성된 베이스 구조물을 마련하는 단계, 상기 전극의 표면에 제1 금속 필러 및 제2 금속 필러가 고르게 분포된 액상의 수지재를 도포하는 단계, 상기 수지재에 수정편을 결합시키는 단계, 상기 수지재를 상기 전극을 형성하는 금속 및 상기 제1 금속 필러의 녹는점보다는 낮고, 상기 제2 금속 필러의 녹는점보다는 높은 온도로 열처리하는 단계 및 상기 베이스 구조물에 커버를 결합하여 상기 수정편이 수용되는 내부 공간을 형성하는 단계를 포함한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)