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1. (WO2016190539) OSCILLATEUR À QUARTZ ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication : WO/2016/190539 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/003743
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 08.04.2016
CIB :
H03H 3/02 (2006.01) ,H03H 9/19 (2006.01) ,H01L 41/37 (2013.01) ,H01L 41/18 (2006.01) ,H01L 41/35 (2013.01) ,H01L 41/41 (2013.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
Déposants : PARTRON CO., LTD.[KR/KR]; (Seoku-dong) 22 Samsung 1-ro 2-gil Hwaseong-si Gyeonggi-do 18449, KR
Inventeurs : YUN, Gum Young; KR
Mandataire : CHOI, Hak Hyun; KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-007365427.05.2015KR
Titre (EN) CRYSTAL OSCILLATOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) OSCILLATEUR À QUARTZ ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(KO) 수정진동자 및 그 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN) A crystal oscillator and a production method therefor are disclosed. The present invention relates to a crystal oscillator and a production method therefor, the method comprising the steps of: preparing a base structure having an electrode; preparing a crystal piece having a terminal; forming a coating of a first metal material on the electrode of the base structure and/or the terminal of the crystal piece; applying a liquid resin material, which has a filler of a second metal material evenly dispersed therein, onto the surface of the electrode of the base structure; coupling the crystal piece to the resin material; heat-treating the resin material at a temperature higher than the melting point of the first metal material and higher than the melting point of the second metal material; and coupling a cover to the base structure so as to form an inner space for accommodating the crystal piece.
(FR) La présente invention porte sur un oscillateur à quartz et sur son procédé de production. La présente invention concerne un oscillateur à quartz et son procédé de production, le procédé comprenant les étapes consistant à : préparer une structure de base ayant une électrode ; préparer une pièce de cristal ayant une borne ; former un revêtement d'un premier matériau métallique sur l'électrode de la structure de base et/ou à la borne de la pièce de cristal ; appliquer un matériau de résine liquide, qui a une charge d'un second matériau métallique dispersée de manière homogène en son sein, sur la surface de l'électrode de la structure de base ; coupler la pièce de cristal au matériau de résine ; traiter thermiquement le matériau de résine à une température supérieure au point de fusion du premier matériau métallique et supérieure au point de fusion du second matériau métallique ; et coupler un couvercle à la structure de base de manière à former un espace interne destiné à recevoir la pièce de cristal.
(KO) 수정진동자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 수정진동자 및 그 제조 방법은 전극이 형성된 베이스 구조물을 마련하는 단계, 단자가 형성된 수정편을 마련하는 단계, 상기 베이스 구조물의 전극 및 상기 수정편의 단자 중 적어도 하나에 제1 금속 재질의 코팅층을 형성하는 단계, 상기 베이스 구조물의 전극의 표면에 제2 금속 재질의 필러가 고르게 분포된 액상의 수지재를 도포하는 단계, 상기 수지재에 상기 수정편을 결합시키는 단계, 상기 수지재를 상기 제1 금속 재질의 녹는점보다는 높고, 상기 제2 금속 재질의 녹는점보다는 높은 온도로 열처리하는 단계 및 상기 베이스 구조물에 커버를 결합하여 상기 수정편이 수용되는 내부 공간을 형성하는 단계를 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)