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1. (WO2016190531) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE FILM MINCE DE PHOSPHORE NOIR ET FILM MINCE DE PHOSPHORE NOIR PRÉPARÉ PAR CE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/190531 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/002977
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 24.03.2016
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/70 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
한국표준과학연구원 KOREA RESEARCH INSTITUTE OF STANDARDS AND SCIENCE [KR/KR]; 대전시 유성구 가정로 267 267, Gajeong-ro Yuseong-gu Daejeon 34113, KR
Inventeurs :
권혁상 KWON, Hyuksang; KR
김정원 KIM, Jeong Won; KR
이은성 LEE, Eun Seong; KR
Mandataire :
특허법인 플러스 PLUS INTERNATIONAL IP LAW FIRM; 대전시 서구 한밭대로 809 10층 10F, 809, Hanbat-daero Seo-gu, Daejeon 35209, KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-007481028.05.2015KR
10-2015-017225304.12.2015KR
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING BLACK PHOSPHORUS THIN FILM AND BLACK PHOSPHORUS THIN FILM PREPARED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE FILM MINCE DE PHOSPHORE NOIR ET FILM MINCE DE PHOSPHORE NOIR PRÉPARÉ PAR CE PROCÉDÉ
(KO) 흑린 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 흑린 박막
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for preparing a black phosphorus thin film and a black phosphorus thin film prepared thereby and, specifically, prepares a black phosphorus thin film by forming a black phosphorus ultra-thin film by reactive oxygen in a chamber and removing an accompanying black phosphorus oxide film with water. The black phosphorus thin film of the present invention has no substantial defect in a large area, has a flat surface, and has a surface roughness characteristic of 1 nm or less, thereby exhibiting high applicability to an optoelectronic device and a field effect transistor.
(FR) La présente invention concerne un procédé de préparation d'un film mince de phosphore noir et un film mince de phosphore noir préparé par ce procédé et, plus particulièrement, prépare un film mince de phosphore noir grâce à la formation d'un film ultramince de phosphore noir par l'oxygène réactif dans une chambre et au retrait d'un film d'oxyde de phosphore noir associé avec de l'eau. Le film mince de phosphore noir de la présente invention ne présente pas de défaut sensible dans une grande superficie, a une surface plate, et a une rugosité de surface caractéristique inférieure ou égale à 1 nm, ce qui lui permet de présenter une applicabilité élevée à un dispositif optoélectronique et à un transistor à effet de champ.
(KO) 본 발명은 흑린 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 흑린 박막에 관한 것으로, 상세하게는 챔버 내에서 활성산소에 의하여 흑린 초박막을 형성하고, 수반되는 흑린 산화막을 물로 제거하여 흑린 초박막을 제조하는 것이다. 본 발명의 흑린 초박막은 대면적에서 실질적으로 결함이 없고 평탄한 표면을 가지며, 1 nm 이하의 표면조도 특성을 가짐으로써 광전자소자 및 전계 효과 트랜지스터에 높은 응용성을 나타낸다.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)