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1. (WO2016190440) SUBSTRAT POUR MODULES DE PUISSANCE, ENSEMBLE SUBSTRAT POUR MODULES DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT POUR MODULES DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/190440 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/065838
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 27.05.2016
CIB :
H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/13 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
13
caractérisés par leur forme
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
Déposants :
NGKエレクトロデバイス株式会社 NGK ELECTRONICS DEVICES, INC. [JP/JP]; 山口県美祢市大嶺町東分字岩倉2701番1 2701-1,Aza Iwakura,Ominecho Higashibun,Mine-shi, Yamaguchi 7592212, JP
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56,Suda-cho,Mizuho-ku,Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
Inventeurs :
森 樹一郎 KIICHIRO, Mori; JP
Mandataire :
井上 浩 INOUE, Hiroshi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-10714127.05.2015JP
Titre (EN) SUBSTRATE FOR POWER MODULES, SUBSTRATE ASSEMBLY FOR POWER MODULES, AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR POWER MODULES
(FR) SUBSTRAT POUR MODULES DE PUISSANCE, ENSEMBLE SUBSTRAT POUR MODULES DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT POUR MODULES DE PUISSANCE
(JA) パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板集合体およびパワーモジュール用基板の製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a substrate for power modules, which is capable of promptly dissipating heat generated from a semiconductor element, and which is also capable of preventing the separation at a bonded interface between a ceramic plate and a copper plate or the occurrence of a crack in the ceramic plate. [Solution] A substrate 10 for power modules, on which a semiconductor element 14 is to be mounted, and which comprises a ceramic plate 11, a circuit copper plate 12 that is formed on a main surface of the ceramic plate 11, and a heat dissipation copper plate 13 that is formed on a surface of the ceramic plate 11, said surface being on the reverse side of the main surface. The circuit copper plate 12 is composed at least of one first circuit copper plate 12a and at least one second circuit copper plate 12b that is different from the first circuit copper plate 12a. The first circuit copper plate 12a has: a first area 15a on which the semiconductor element 14 is mounted; and a second area 15b which is arranged so as to surround the first area 15a on the outer side of the first circuit copper plate 12a, and which has a thinner copper plate thickness than the first area 15a.
(FR) L'invention a pour but de fournir un substrat pour modules de puissance qui puisse dissiper rapidement la chaleur générée par un élément à semi-conducteur, et qui puisse également prévenir la séparation au niveau d'une interface collée entre une plaque de céramique et une plaque de cuivre ou la survenue d'une fissure dans la plaque de céramique. Pour atteindre ce but, l'invention concerne un substrat 10 pour modules de puissance sur lequel un élément à semi-conducteur 14 doit être monté, et qui comprend une plaque de céramique 11, une plaque de cuivre de circuit 12, qui est formée sur une surface principale de la plaque de céramique 11, et une plaque de cuivre de dissipation de chaleur 13, qui est formée sur une surface de la plaque de céramique 11, ladite surface étant au verso de la surface principale. La plaque de cuivre de circuit 12 est composée d'au moins une première plaque de cuivre de circuit 12a et d'au moins une seconde plaque de cuivre de circuit 12b qui est différente de la première plaque de cuivre de circuit 12a. La première plaque de cuivre de circuit 12a présente : une première zone 15a sur laquelle l'élément à semi-conducteur 14 est monté ; une seconde zone 15b qui est agencée de manière à entourer la première zone 15a sur le côté extérieur de la première plaque de cuivre de circuit 12a et dont l'épaisseur de la plaque de cuivre est inférieure à celle de la première zone 15a.
(JA) 【課題】半導体素子からの発熱を速やかに放熱させることができると共に、セラミックス板と銅板の接合界面での剥離や、セラミックス板へのクラックの発生を回避することができるパワーモジュール用基板を提供する。 【解決手段】半導体素子14を搭載することを目的としたパワーモジュール用基板10であって、セラミックス板11と、セラミックス板11の主面に形成された回路銅板12と、セラミックス板11の主面の反対の面に形成された放熱銅板13とを有し、回路銅板12は少なくとも1の第1の回路銅板12aと、この第1の回路銅板12a以外の少なくとも1の第2の回路銅板12bとからなり、第1の回路銅板12aは、半導体素子14が載置される第1のエリア部15aと、第1の回路銅板12aの外側で第1のエリア部12aを囲むように配され第1のエリア部15aより銅板の厚みが薄い第2のエリア部15bを有しているパワーモジュール用基板。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)