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1. (WO2016190309) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET SUBSTRAT POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/190309 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/065321
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 24.05.2016
CIB :
H05B 33/02 (2006.01) ,F21S 2/00 (2016.01) ,H01L 51/44 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/22 (2006.01) ,F21Y 115/15 (2016.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
02
Détails
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21
ÉCLAIRAGE
S
DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE NON PORTATIFS; SYSTÈMES DE TELS DISPOSITIFS
2
Systèmes de dispositifs d'éclairage non prévus dans les groupes principaux F21S4/-F21S10/133
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42
spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
44
Détails des dispositifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
12
Sources de lumière avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
22
caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
[IPC code unknown for F21Y 115/15]
Déposants :
株式会社神戸製鋼所 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) [JP/JP]; 兵庫県神戸市中央区脇浜海岸通二丁目2番4号 2-4, Wakinohama-Kaigandori 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585, JP
Inventeurs :
志田 陽子 SHIDA Yoko; --
水野 雅夫 MIZUNO Masao; --
平野 康雄 HIRANO Yasuo; --
岩 辰彦 IWA Tatsuhiko; --
渡瀬 岳史 WATASE Takeshi; --
Mandataire :
特許業務法人栄光特許事務所 EIKOH PATENT FIRM, P.C.; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング10階 Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
Données relatives à la priorité :
2015-10922628.05.2015JP
Titre (EN) ORGANIC ELECTRONIC DEVICE AND SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET SUBSTRAT POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE
(JA) 有機電子デバイス及び有機電子デバイス用基板
Abrégé :
(EN) The present invention is an organic electronic device provided with an organic electronic element on one surface of a substrate, wherein the substrate has a metal layer and an insulating layer laminated on at least one surface of the metal layer, and an irregularities peak having a K value equal to or lower than -0.07 as calculated by expression (1) does not exist on the one surface of the substrate. In expression (1), x is a peak position in the irregularities when line roughness analysis is conducted every 2.45 nm in a 10 μm × 10 μm area on the one surface of the substrate, f(x) is the height [nm] of the surface irregularity at x, and dx is an infinitesimal change in x. K=[f(x+dx)-2f(x)+f(x-dx)]/dx2...(1)
(FR) La présente invention concerne un dispositif électronique organique pourvu d'un élément électronique organique sur une surface d'un substrat, lequel substrat a une couche métallique et une couche isolante stratifiée sur au moins une surface de la couche métallique, et un pic des irrégularités ayant une valeur K inférieure ou égale à -0,07 telle que calculée par l'expression (1) n'existant pas sur la surface du substrat. Dans l'expression (1), x est une position de pic dans les irrégularités lorsqu'une analyse de rugosité de ligne est effectuée tous les 2,45 nm dans une zone de 10 µm × 10 µm sur ladite surface du substrat, f(x) est la hauteur [nm] de l'irrégularité de surface au niveau de x, et dx est un changement infinitésimal dans x. K = [f(x + dx) - 2f(x) + f(x - dx)]/dx2...(1)
(JA) 基板の一方の面上に有機電子素子を備える有機電子デバイスであって、基板が、金属層と、金属層の少なくとも一方の面側に積層される絶縁層とを有し、基板の一方の面に式(1)のK値が-0.07以下となる凹凸のピークがない。式(1)中、xは基板の一方の面の10μm四方の範囲に対し2.45nm間隔で線粗さ分析を行った時の凹凸のピーク位置、f(x)はxにおける表面凹凸高さ[nm]、dxはxの微小変化量である。 K=[f(x+dx)-2f(x)+f(x-dx)]/dx・・・(1)
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)